| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 电子束光刻技术概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 电子束曝光系统的结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 电子束光刻技术的应用 | 第11-14页 |
| 1.2 电子束光刻工艺仿真与实验的意义 | 第14-16页 |
| 1.3 课题的研究现状及关键技术 | 第16-18页 |
| 1.4 论文的研究内容及章节安排 | 第18-21页 |
| 第二章 电子束光刻的模拟理论与方法 | 第21-27页 |
| 2.1 电子束光刻的工艺过程 | 第21-22页 |
| 2.2 电子在固体中的散射 | 第22页 |
| 2.3 电子散射的物理模型 | 第22-25页 |
| 2.3.1 弹性散射的物理模型 | 第22-24页 |
| 2.3.2 非弹性散射的物理模型 | 第24-25页 |
| 2.4 模拟的方法 | 第25-26页 |
| 2.4.1 近似函数方法 | 第25页 |
| 2.4.2 随机事件数学模拟方法 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 电子束光刻工艺的Monte Carlo模拟 | 第27-43页 |
| 3.1 模拟散射过程 | 第27-31页 |
| 3.1.1 计算入射电子的初始坐标 | 第27-28页 |
| 3.1.2 计算电子在固体中散射的自由程 | 第28页 |
| 3.1.3 计算散射角 | 第28-29页 |
| 3.1.4 计算散射方位角 | 第29页 |
| 3.1.5 计算电子散射终点的坐标及剩余能量 | 第29-30页 |
| 3.1.6 Monte Carlo模拟电子散射流程图 | 第30-31页 |
| 3.2 散射轨迹的模拟 | 第31-33页 |
| 3.3 能量沉积分布的模拟 | 第33-38页 |
| 3.3.1 能量沉积密度计算 | 第34-36页 |
| 3.3.2 入射电子束能对能量沉积的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 光刻胶厚度对能量沉积的影响 | 第37-38页 |
| 3.4 穿透深度和能量吸收密度的计算 | 第38-42页 |
| 3.4.1 解析法计算穿透深度和能量吸收密度 | 第38-39页 |
| 3.4.2 阈值能量密度模型计算穿透深度和能量吸收密度 | 第39-40页 |
| 3.4.3 入射电子束剂量与穿透深度的关系 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 微结构的实验与分析 | 第43-57页 |
| 4.1 微结构设计 | 第43-45页 |
| 4.1.1 探究曝光剂量与显影后光刻胶深度的关系 | 第43页 |
| 4.1.2 探究曝光次数与显影后光刻胶宽度及深度的关系 | 第43-44页 |
| 4.1.3 探究电子束光刻下三维微结构的制作工艺 | 第44-45页 |
| 4.2 实验步骤 | 第45-48页 |
| 4.2.1 实验设备与材料 | 第46-47页 |
| 4.2.2 实验流程 | 第47-48页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第48-56页 |
| 4.3.1 曝光剂量与显影后光刻胶深度的关系 | 第48-50页 |
| 4.3.2 曝光次数与显影后光刻胶宽度及深度的关系 | 第50-52页 |
| 4.3.3 三维微结构的制作工艺 | 第52-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 EBL加工的仿真模拟 | 第57-67页 |
| 5.1 仿真算法的研究 | 第57-60页 |
| 5.1.1 Monte Carlo方法 | 第57页 |
| 5.1.2 元胞自动机方法 | 第57-59页 |
| 5.1.3 Monte Carlo与元胞自动机混合方法 | 第59-60页 |
| 5.2 曝光剂量与微结构深度关系的模拟 | 第60-61页 |
| 5.3 三维微结构的仿真模拟 | 第61-64页 |
| 5.3.1 Monte Carlo与元胞自动机混合算法仿真模拟 | 第61-62页 |
| 5.3.2 元胞自动机算法仿真模拟 | 第62-64页 |
| 5.4 微结构曝光剂量修正 | 第64-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 作者简介 | 第73页 |
