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高分辨电子显微学方法及其在半导体材料研究中的应用

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 引言第9-15页
    1.1 高分辨电子显微学的历史和发展现状第9-11页
    1.2 高分辨电子显微学测定晶体结构的方法第11-13页
        1.2.1 模型法第11-12页
        1.2.2 出射波重构法第12-13页
        1.2.3 像解卷法第13页
    1.3 本论文的选题目的和主要内容第13-15页
第二章 高分辨电子显微像成像原理第15-39页
    2.1 运动学电子衍射理论第15-19页
        2.1.1 电子波第15-16页
        2.1.2 原子对电子的散射第16-18页
        2.1.3 晶体对电子的衍射第18-19页
    2.2 动力学电子衍射理论第19-24页
        2.2.1 惠更斯(Huygens)原理和基尔霍夫(Kirchhoff)公式第19-20页
        2.2.2 菲涅耳(Fresnel)衍射第20-21页
        2.2.3 夫琅禾费(Fraunhofer)衍射第21-22页
        2.2.4 多片理论第22-24页
    2.3 物镜的成像原理第24-33页
        2.3.1 理想物镜成像第24-25页
        2.3.2 实际的像第25-26页
        2.3.3 物镜传递函数第26-32页
        2.3.4 电镜的分辨本领第32-33页
    2.4 像衬近似理论第33-39页
        2.4.1 弱相位物体近似像衬理论第33-34页
        2.4.2 赝弱相位物体近似像衬理论第34-39页
第三章 高分辨电子显微像的解卷处理方法第39-47页
    3.1 解卷的基本原理第39-41页
    3.2 离焦量的测定方法第41-43页
        3.2.1 Thon衍射图法第41-42页
        3.2.2 最大熵方法第42-43页
    3.3 衬度传递函数零截点的处理方法第43-44页
    3.4 衍射振幅校正技术第44-47页
第四章 GaN薄膜中缺陷结构的高分辨电子显微学研究第47-75页
    4.1 引言第47-48页
    4.2 密排六方结构中的缺陷类型第48-51页
    4.3 实验方法第51页
    4.4 GaN的晶体结构信息第51-52页
    4.5 基底面层错及相关不全位错核心的原子组态测定第52-64页
        4.5.1 GaN薄膜的[?]高分辨像第52-53页
        4.5.2 离焦量的测定和Ga、N原子柱的识别第53-57页
        4.5.3 基底面层错和相关不全位错的原子组态第57-64页
    4.6 60°基底面位错核心原子组态的测定第64-73页
        4.6.1 GaN薄膜的[?]高分辨像第65-66页
        4.6.2 离焦量的测定和Ga、N原子柱的识别第66-68页
        4.6.3 位错核心原子组态的测定第68-70页
        4.6.4 60°位错的分解机制第70-73页
    4.7 本章小结第73-75页
第五章 高分辨电子显微学中的非线性成像研究第75-105页
    5.1 引言第75-77页
    5.2 透射交叉系数理论第77-79页
    5.3 衍射图中的线性和非线性信息第79-85页
        5.3.1 衍射图中的线性信息第80-82页
        5.3.2 衍射图中的非线性信息第82-85页
    5.4 光源相干性包络函数及其与成像条件的关系第85-89页
    5.5 球差校正像中线性和非线性信息的分离第89-92页
    5.6 非线性信息对衍射图及解卷处理产生的影响第92-100页
    5.7 讨论第100-103页
        5.7.1 利用PWPOA理论描述衍射波函数的有效性第100-101页
        5.7.2 球差校正像中线性和非线性信息分离方法的有效性第101页
        5.7.3 离焦量和球差系数的误差对线性和非线性信息分离方法有效性的影响第101-103页
    5.8 本章小结第103-105页
第六章 总结与展望第105-107页
    6.1 总结第105-106页
    6.2 展望第106-107页
参考文献第107-114页
攻读博士期间已发表和待发表文章目录第114-117页
致谢第117-119页

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