| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 高分辨电子显微学的历史和发展现状 | 第9-11页 |
| 1.2 高分辨电子显微学测定晶体结构的方法 | 第11-13页 |
| 1.2.1 模型法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 出射波重构法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 像解卷法 | 第13页 |
| 1.3 本论文的选题目的和主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 高分辨电子显微像成像原理 | 第15-39页 |
| 2.1 运动学电子衍射理论 | 第15-19页 |
| 2.1.1 电子波 | 第15-16页 |
| 2.1.2 原子对电子的散射 | 第16-18页 |
| 2.1.3 晶体对电子的衍射 | 第18-19页 |
| 2.2 动力学电子衍射理论 | 第19-24页 |
| 2.2.1 惠更斯（Huygens）原理和基尔霍夫（Kirchhoff）公式 | 第19-20页 |
| 2.2.2 菲涅耳（Fresnel）衍射 | 第20-21页 |
| 2.2.3 夫琅禾费（Fraunhofer）衍射 | 第21-22页 |
| 2.2.4 多片理论 | 第22-24页 |
| 2.3 物镜的成像原理 | 第24-33页 |
| 2.3.1 理想物镜成像 | 第24-25页 |
| 2.3.2 实际的像 | 第25-26页 |
| 2.3.3 物镜传递函数 | 第26-32页 |
| 2.3.4 电镜的分辨本领 | 第32-33页 |
| 2.4 像衬近似理论 | 第33-39页 |
| 2.4.1 弱相位物体近似像衬理论 | 第33-34页 |
| 2.4.2 赝弱相位物体近似像衬理论 | 第34-39页 |
| 第三章 高分辨电子显微像的解卷处理方法 | 第39-47页 |
| 3.1 解卷的基本原理 | 第39-41页 |
| 3.2 离焦量的测定方法 | 第41-43页 |
| 3.2.1 Thon衍射图法 | 第41-42页 |
| 3.2.2 最大熵方法 | 第42-43页 |
| 3.3 衬度传递函数零截点的处理方法 | 第43-44页 |
| 3.4 衍射振幅校正技术 | 第44-47页 |
| 第四章 GaN薄膜中缺陷结构的高分辨电子显微学研究 | 第47-75页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 密排六方结构中的缺陷类型 | 第48-51页 |
| 4.3 实验方法 | 第51页 |
| 4.4 GaN的晶体结构信息 | 第51-52页 |
| 4.5 基底面层错及相关不全位错核心的原子组态测定 | 第52-64页 |
| 4.5.1 GaN薄膜的[?]高分辨像 | 第52-53页 |
| 4.5.2 离焦量的测定和Ga、N原子柱的识别 | 第53-57页 |
| 4.5.3 基底面层错和相关不全位错的原子组态 | 第57-64页 |
| 4.6 60°基底面位错核心原子组态的测定 | 第64-73页 |
| 4.6.1 GaN薄膜的[?]高分辨像 | 第65-66页 |
| 4.6.2 离焦量的测定和Ga、N原子柱的识别 | 第66-68页 |
| 4.6.3 位错核心原子组态的测定 | 第68-70页 |
| 4.6.4 60°位错的分解机制 | 第70-73页 |
| 4.7 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 高分辨电子显微学中的非线性成像研究 | 第75-105页 |
| 5.1 引言 | 第75-77页 |
| 5.2 透射交叉系数理论 | 第77-79页 |
| 5.3 衍射图中的线性和非线性信息 | 第79-85页 |
| 5.3.1 衍射图中的线性信息 | 第80-82页 |
| 5.3.2 衍射图中的非线性信息 | 第82-85页 |
| 5.4 光源相干性包络函数及其与成像条件的关系 | 第85-89页 |
| 5.5 球差校正像中线性和非线性信息的分离 | 第89-92页 |
| 5.6 非线性信息对衍射图及解卷处理产生的影响 | 第92-100页 |
| 5.7 讨论 | 第100-103页 |
| 5.7.1 利用PWPOA理论描述衍射波函数的有效性 | 第100-101页 |
| 5.7.2 球差校正像中线性和非线性信息分离方法的有效性 | 第101页 |
| 5.7.3 离焦量和球差系数的误差对线性和非线性信息分离方法有效性的影响 | 第101-103页 |
| 5.8 本章小结 | 第103-105页 |
| 第六章 总结与展望 | 第105-107页 |
| 6.1 总结 | 第105-106页 |
| 6.2 展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-114页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表文章目录 | 第114-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
