| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 Ⅲ-N化合物的基本性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 Ⅲ-N化合物的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ⅲ-N化合物的能带 | 第12-14页 |
| 1.3 Ⅲ-N化合物材料外延技术简介 | 第14-18页 |
| 1.3.1 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第15-16页 |
| 1.3.2 分子束外延（MBE） | 第16-17页 |
| 1.3.3 氢化物气相外延（HVPE） | 第17-18页 |
| 1.4 Ⅲ-N化合物材料外延衬底简介 | 第18-21页 |
| 1.4.1 蓝宝石衬底 | 第19-21页 |
| 1.4.2 碳化硅衬底 | 第21页 |
| 1.4.3 硅衬底 | 第21页 |
| 1.5 P型AlGaN材料的研究概况 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文研究内容和安排 | 第23-25页 |
| 第二章 外延生长技术和表征分析方法 | 第25-37页 |
| 2.1 MOCVD简介 | 第25-33页 |
| 2.1.1 引言 | 第25页 |
| 2.1.2 MOCVD设备介绍 | 第25-28页 |
| 2.1.3 MOCVD的反应原理 | 第28-32页 |
| 2.1.4 本论文MOCVD设备简介 | 第32-33页 |
| 2.2 表征分析方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 高分辨x射线衍射仪 | 第33-35页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第35页 |
| 2.2.3 四探针测试仪 | 第35-37页 |
| 第三章 AlN缓冲层的生长与表征 | 第37-45页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验过程 | 第38-39页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 3.3.1 XRD的测试结果与分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 AFM的测试结果与分析 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 Mg掺杂Al_(0.55)Ga_(0.45)N的制备与表征 | 第45-53页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第46-52页 |
| 4.3.1 AlGaN组分的确定 | 第46-49页 |
| 4.3.2 Mg掺杂对表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.3 电学性能测试 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |