| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 宽禁带半导体的基本属性和研究进展 | 第12-14页 |
| 1.2 本论文的选题依据和研究内容 | 第14-16页 |
| 1.2.1 选题依据 | 第14页 |
| 1.2.2 研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-32页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 密度泛函理论基础 | 第16-19页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第18-19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-23页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第23-27页 |
| 2.4.1 局域密度近似 | 第24-25页 |
| 2.4.2 广义梯度近似 | 第25页 |
| 2.4.3 DFT+U | 第25-26页 |
| 2.4.4 杂化密度泛函 | 第26-27页 |
| 2.5 布洛赫定理和赝势平面波方法 | 第27-31页 |
| 2.5.1 布洛赫定理 | 第27-28页 |
| 2.5.2 赝势平面波方法 | 第28-31页 |
| 2.6 VASP软件包简介 | 第31-32页 |
| 第3章 p型ZnO掺杂机理的研究 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 缺陷计算理论 | 第32-40页 |
| 3.2.1 半导体掺杂中的几个基本概念 | 第33-34页 |
| 3.2.2 半导体材料掺杂的计算方法 | 第34-40页 |
| 3.3 N掺杂ZnO的p型导电性的来源 | 第40-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 SiC表面石墨烯生长机制研究 | 第50-81页 |
| 4.1 思路:利用石墨烯增强ZnO的发光效率 | 第50-51页 |
| 4.2 石墨烯的结构与基本性质及其制备方法 | 第51-59页 |
| 4.2.1 石墨烯的结构与基本性质 | 第51-54页 |
| 4.2.2 石墨烯的制备方法 | 第54-59页 |
| 4.3 SiC表面石墨烯外延生长机制 | 第59-79页 |
| 4.3.1 碳化硅的晶体结构 | 第59-61页 |
| 4.3.2 碳化硅表面石墨烯外延生长的研究进展 | 第61-68页 |
| 4.3.3 碳化硅表面石墨烯的外延生长机制 | 第68-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 ZnSe的晶格动力学研究 | 第81-94页 |
| 5.1 引言 | 第81-85页 |
| 5.2 计算方法 | 第85页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第85-92页 |
| 5.3.1 ZB-ZnSe与WZ-ZnSe晶格的声子色散曲线 | 第85-88页 |
| 5.3.2 N掺杂ZB-ZnSe以及WZ-ZnSe晶格的声子色散曲线 | 第88-90页 |
| 5.3.3 应变对光学声子频率的影响 | 第90-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 第6章 结论与展望 | 第94-96页 |
| 6.1 结论 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-112页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第112-113页 |
| 指导教师及作者简介 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |