| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 二维材料概述 | 第12-14页 |
| 1.2 MoS_2/WS_2材料特性及其相关研究 | 第14-17页 |
| 1.2.1 晶体结构与电子能带结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 材料理化性质 | 第16页 |
| 1.2.3 材料光学性质 | 第16-17页 |
| 1.3 MoS_2/WS_2场效应晶体管与电子输运的研究 | 第17-21页 |
| 1.3.1 场效应晶体管性能提高 | 第17-19页 |
| 1.3.2 输运机制研究与物理模型(以MoS_2为例) | 第19-21页 |
| 1.4 选题意义与内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 本征MoS_2电子输运研究 | 第28-43页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-30页 |
| 2.2.1 MoS_2本征缺陷修复 | 第28-29页 |
| 2.2.2 MoS_2缺陷TEM表征 | 第29-30页 |
| 2.2.3 MoS_2电学输运测试 | 第30页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第30-38页 |
| 2.3.1 缺陷修复过程DFT计算 | 第30-31页 |
| 2.3.2 修复前后样品TEM表征分析 | 第31-32页 |
| 2.3.3 缺陷修复样品电学输运对比 | 第32-34页 |
| 2.3.4 变温输运研究与输运理论模型 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38页 |
| 2.5 附录：自由载流子迁移率计算 | 第38-40页 |
| 2.5.1 声子极限迁移率 | 第38-39页 |
| 2.5.2 带电杂质主导迁移率 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 WS_2器件与电子输运研究 | 第43-54页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 3.2.1 High-K衬底上高性能WS_2器件制备 | 第43-44页 |
| 3.2.2 硫醇溶液对WS_2样品处理 | 第44-45页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第45-49页 |
| 3.3.1 氧化铝界面对器件性能的提高 | 第45-47页 |
| 3.3.2 硫醇处理对器件性能的提高 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第四章 结论与展望 | 第54-58页 |
| 4.1 结论 | 第54-55页 |
| 4.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间发表的学术成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
