| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料概述 | 第12-13页 |
| 1.2 GaN晶体结构和基本性质 | 第13-24页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第13-17页 |
| 1.2.2 基本性质 | 第17-24页 |
| 1.2.2.1 极化特性 | 第17-20页 |
| 1.2.2.2 物理性质 | 第20-21页 |
| 1.2.2.3 化学性质 | 第21-22页 |
| 1.2.2.4 电学性质 | 第22-23页 |
| 1.2.2.5 光学性质 | 第23-24页 |
| 1.3 微纳米GaN衬底模板上的二次外延 | 第24-26页 |
| 1.4 GaN材料湿法腐蚀的研究与进展 | 第26-30页 |
| 1.5 测试表征方法 | 第30-36页 |
| 1.5.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 1.5.2 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第31-32页 |
| 1.5.3 拉曼光谱(Raman) | 第32-34页 |
| 1.5.4 光致发光谱(PL) | 第34-35页 |
| 1.5.5 阴极荧光谱(CL) | 第35-36页 |
| 1.6 本文的主要内容 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第二章 Ga面GaN微纳米模板制备及其物性研究 | 第40-76页 |
| 2.1 引言 | 第40-43页 |
| 2.2 光助化学湿法腐蚀原理 | 第43-46页 |
| 2.3 光助化学湿法腐蚀实验 | 第46-47页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第47-71页 |
| 2.4.1 位错腐蚀形成微纳米柱模板的研究 | 第47-57页 |
| 2.4.2 位错腐蚀形成微纳米腐蚀坑模板的研究 | 第57-60页 |
| 2.4.3 晶体腐蚀形成锥体模板的研究 | 第60-67页 |
| 2.4.4 晶体腐蚀形成晶须的研究 | 第67-69页 |
| 2.4.5 温度对腐蚀GaN模板的影响 | 第69-71页 |
| 2.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第三章 N面GaN六棱锥模板制备及其物性研究 | 第76-95页 |
| 3.1 引言 | 第76-78页 |
| 3.2 光助化学湿法腐蚀实验 | 第78页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第78-92页 |
| 3.3.1 溶液浓度的影响 | 第78-82页 |
| 3.3.2 腐蚀时间的影响 | 第82-86页 |
| 3.3.3 光照强度的影响 | 第86-89页 |
| 3.3.4 腐蚀液类型的影响 | 第89-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第四章 GaN六棱锥模板上生长InGaN/GaN多量子阱 | 第95-108页 |
| 4.1 引言 | 第95-98页 |
| 4.2 利用GaN六棱锥模板生长InGaN/GaN多量子阱 | 第98-106页 |
| 4.2.1 制备半极性面GaN六棱锥模板 | 第98-99页 |
| 4.2.2 六棱锥模板上生长InGaN/GaN多量子阱 | 第99-106页 |
| 4.3 本章小结 | 第106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 第五章 结论与展望 | 第108-110页 |
| 5.1 结论 | 第108-109页 |
| 5.2 展望 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章和专利 | 第111-112页 |
