| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 绝缘体上的硅技术(Silicon on Insulator：SOI) | 第11-13页 |
| 1.2.1 绝缘体上硅的定义与主要优势 | 第11-13页 |
| 1.2.2 SOI技术的发展历史与新动向 | 第13页 |
| 1.3 SOI技术的拓展—应变及高迁移率材料的引入 | 第13-18页 |
| 1.3.1 SOI技术中应变的引入—sSOI材料 | 第14-17页 |
| 1.3.2 SO1技术中应变的引入—高迁移率材料SiGeOI、GeOI | 第17-18页 |
| 1.4 基于绝缘体上材料的MOSFET器件性能参数 | 第18-21页 |
| 1.4.1 MOSFET的工作原理 | 第19-20页 |
| 1.4.2 MOSFET的最重要参数 | 第20-21页 |
| 1.5 绝缘体上材料的主要制备技术 | 第21-29页 |
| 1.5.1 SOI材料的主要制备方法 | 第21-25页 |
| 1.5.2 SGOI材料的主要制备方法 | 第25-27页 |
| 1.5.3 sSOI材料的主要制备方法 | 第27-28页 |
| 1.5.4 GOI材料的主要制备方法 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文的主要研究工作 | 第29-30页 |
| 1.7 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 8英寸体硅上sSi、SiGe、Ge材料外延技术 | 第36-74页 |
| 2.1 减压化学气相沉积系统(RPCVD)介绍 | 第36-39页 |
| 2.1.1 RPCVD系统设备构造 | 第36-37页 |
| 2.1.2 衬底材料外延前清洁处理 | 第37-38页 |
| 2.1.3 薄膜外延沉积 | 第38-39页 |
| 2.2 材料表征与性能测试介绍 | 第39-43页 |
| 2.2.1 离子注入机 | 第39-40页 |
| 2.2.2 XRD四晶衍射仪 | 第40-41页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第41-42页 |
| 2.2.4 Raman光谱 | 第42页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第42页 |
| 2.2.6 二次离子质谱(SIMS) | 第42-43页 |
| 2.3 体硅上SiGe材料外延制备 | 第43-49页 |
| 2.3.1 衬底温度对SiGe外延薄膜的影响 | 第43-45页 |
| 2.3.2 气体流量对SiGe外延薄膜的影响 | 第45-46页 |
| 2.3.3 反应压强对SiGe外延薄膜的影响 | 第46页 |
| 2.3.4 8英寸高质量SiGe薄膜制备 | 第46-49页 |
| 2.4 体硅上sSi材料外延制备 | 第49-59页 |
| 2.4.1 He~+注入致SiGe弛豫技术研究 | 第49-51页 |
| 2.4.2 H~+注入致SiGe弛豫技术研究 | 第51-57页 |
| 2.4.3 He~+注入致SiGe弛豫制备sSi材料表征 | 第57-59页 |
| 2.5 体硅上Ge材料外延制备 | 第59-70页 |
| 2.5.1 利用低温B掺杂SiGe缓冲薄层外延高质量Ge薄膜 | 第59-63页 |
| 2.5.2 利用低温SiGe/Si超晶格缓冲薄层外延高质量Ge薄膜 | 第63-66页 |
| 2.5.3 低温-高温升温速率对外延高质量Ge薄膜的影响 | 第66-70页 |
| 2.6 本章小结 | 第70页 |
| 2.7 参考文献 | 第70-74页 |
| 第三章 基于层转移技术制备绝缘体上材料 | 第74-98页 |
| 3.1 智能剥离(Smart cut)技术制备绝缘体上材料 | 第74-84页 |
| 3.1.1 8英寸绝缘体上应变Si(sSOI)制备 | 第74-78页 |
| 3.1.2 8英寸绝缘体上SiGe(SGOI)制备 | 第78-80页 |
| 3.1.3 8英寸绝缘体上Ge(GOI)制备 | 第80-84页 |
| 3.2 吸附剥离(Simsplit)技术制备绝缘体上材料 | 第84-94页 |
| 3.2.1 Simsplit技术的介绍及SGOI制备 | 第86-90页 |
| 3.2.2 Simsplit技术制备ETSOI、GOI材料研究 | 第90-94页 |
| 3.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 3.4 参考文献 | 第95-98页 |
| 第四章 Simsplit技术及其吸附剥离机理研究 | 第98-128页 |
| 4.1 Simsplit技术中掺杂夹层对注入H~+的吸附行为及其机理研究 | 第98-108页 |
| 4.1.1 实验流程 | 第98-99页 |
| 4.1.2 Simsplit技术中剥离行为测试表征 | 第99-102页 |
| 4.1.3 Simsplit技术中剥离机理研究 | 第102-108页 |
| 4.2 Simsplit技术中吸附剥离行为的可控性研究 | 第108-120页 |
| 4.2.1 B掺杂SiGe夹层中不同Ge组分对吸附剥离的影响 | 第108-109页 |
| 4.2.2 不同退火温度对吸附剥离的影响 | 第109-110页 |
| 4.2.3 不同的注入能量对吸附剥离的影响 | 第110-114页 |
| 4.2.4 不同的夹层厚度对吸附剥离的影响 | 第114-117页 |
| 4.2.5 厚膜剥离研究 | 第117-120页 |
| 4.3 Simsplit技术中增强吸附剥离效应及其机理研究 | 第120-125页 |
| 4.3.1 增强吸附剥离效应—B掺杂SiGe/Si超晶格夹层 | 第121-124页 |
| 4.3.2 增强吸附剥离效应—微波退火 | 第124-125页 |
| 4.4 本章小结 | 第125-126页 |
| 4.5 参考文献 | 第126-128页 |
| 第五章 全文总结和工作展望 | 第128-130页 |
| 5.1 全文总结 | 第128-129页 |
| 5.2 工作展望 | 第129-130页 |
| 攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第130-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
