| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-20页 |
| 1.1 二维材料简介 | 第11-14页 |
| 1.1.1 石墨烯简介 | 第11-12页 |
| 1.1.2 过渡性金属硫化物简介 | 第12-13页 |
| 1.1.3 黒磷简介 | 第13-14页 |
| 1.2 金属-半导体界面简介 | 第14-19页 |
| 1.2.1 肖特基势垒简介 | 第15-17页 |
| 1.2.2 金属-二维材料界面研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 本论文研究内容简介 | 第19-20页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第20-29页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第20-22页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第21-22页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第22-29页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.2.3 局域密度近似（LDA）和广义梯度近似(GGA) | 第24-26页 |
| 2.2.4 势函数和基函数选取 | 第26-27页 |
| 2.2.5 第一性原理计算软件简介 | 第27-29页 |
| 第三章 二维材料及金属-二维材料的电子特性 | 第29-43页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 模型和计算方法 | 第29-33页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第33-41页 |
| 3.3.1 单层二维材料的能带结构 | 第33-35页 |
| 3.3.2 金属-单层二维材料界面肖特基势垒 | 第35-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 卤族元素掺杂对Au-MoS2界面性质的调控 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 模型和计算方法 | 第43-45页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第45-52页 |
| 4.3.1 缺陷形成能 | 第45-46页 |
| 4.3.2 能带结构 | 第46-48页 |
| 4.3.3 肖特基势垒高度 | 第48-50页 |
| 4.3.4 差分电荷密度和布居分析 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 Se掺杂对Au-BP界面性质的调控 | 第53-61页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 计算方法与模型 | 第53-55页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第55-60页 |
| 5.3.1 缺陷形成能 | 第55-56页 |
| 5.3.2 能带结构和态密度 | 第56-58页 |
| 5.3.3 肖特基势垒高度 | 第58页 |
| 5.3.4 电荷密度分布 | 第58-59页 |
| 5.3.5 差分电荷密度和布局数分布 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-64页 |
| 6.1 论文总结 | 第61-62页 |
| 6.2 论文展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 作者简历及在攻读硕士期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |