| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| §1.1 氮化物的发展历史 | 第11-12页 |
| §1.2 Ⅲ氮化物材料的一些基本性质 | 第12-14页 |
| §1.3 GaN基HEMT研究进展与现状 | 第14-16页 |
| §1.3.1 AlGaN/GaN HEMT的研究进展 | 第14-15页 |
| §1.3.2 InAlN/GaN HEMT的研究进展 | 第15-16页 |
| §1.3.3 背势垒结构HEMT结构的研究进展 | 第16页 |
| §1.4 论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| §1.5 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物材料表征技术介绍 | 第22-30页 |
| §2.1 引言 | 第22页 |
| §2.2 霍尔效应 | 第22-23页 |
| §2.3 扫描电子显微镜与透射电子显微镜 | 第23-24页 |
| §2.4 X射线衍射 | 第24-25页 |
| §2.5 光致发光谱 | 第25-26页 |
| §2.6 X射线光电子谱简介 | 第26-28页 |
| §2.7 总结 | 第28-29页 |
| §2.8 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 InAlN/GaN的背势垒结构对2DE,G的影响 | 第30-47页 |
| §3.1 InAlN/AlN/GaN材料极化理论 | 第30-36页 |
| §3.1.1 GaN材料的极化 | 第30-34页 |
| §3.1.2 一维薛定谔-泊松方程自洽求解仿真的数学物理模型 | 第34-35页 |
| §3.1.3 自洽求解一维薛定谔-泊松方程 | 第35-36页 |
| §3.2 三种不同异质结结构的仿真结果 | 第36-43页 |
| §3.2.1 势垒层厚度和插入层厚度对2DEG的影响 | 第37-38页 |
| §3.2.2 AlGaN背势垒结构 | 第38-41页 |
| §3.2.3 InGaN背势垒结构 | 第41-43页 |
| §3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| §3.4 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 InAlGaN/AlN/GaN异质结研究 | 第47-58页 |
| §4.1 InAlGaN/A1N/GaN异质结结构 | 第47页 |
| §4.2 InAlGaN光致发光谱研究 | 第47-49页 |
| §4.3 InAlGaN中各元素组分随生长厚度的变化 | 第49-51页 |
| §4.4 InAlGaN中各金属元素化学态随生长厚度的变化 | 第51-56页 |
| §4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| §4.6 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 MBE生长InAlN/AlN/GaN基异质结构研究 | 第58-65页 |
| §5.1 InAlN/AlN/GaN基异质结构材料样品制备 | 第58页 |
| §5.2 样品的表征及测试 | 第58-63页 |
| §5.2.1 样品表面形貌 | 第58-60页 |
| §5.2.2 样品的CL和XRD测试 | 第60-61页 |
| §5.2.3 TEM测试 | 第61-62页 |
| §5.2.4 霍尔测试 | 第62-63页 |
| §5.3 总结 | 第63-64页 |
| §5.4 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表的论文和参加的会议 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
