| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 半导体体材料简介 | 第10-14页 |
| 1.1.1 无机半导体材料 | 第10-12页 |
| 1.1.2 有机半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体异质结 | 第14-17页 |
| 1.2.1 半导体异质结研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2.2 半导体异质结的组成和生长 | 第15-16页 |
| 1.2.3 半导体异质结的光电特性 | 第16-17页 |
| 1.3 有机/无机半导体异质结构 | 第17-19页 |
| 1.3.1 有机半导体异质结构研究背景 | 第17页 |
| 1.3.2 有机半导体载流子传输机制 | 第17-18页 |
| 1.3.3 有机/无机半导体异质结类型 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文研究的目的和意义 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第24-36页 |
| 2.1 湿化学法合成纳米晶 | 第24-25页 |
| 2.1.1 化学溶液沉淀法 | 第24页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第24页 |
| 2.1.3 水热法 | 第24-25页 |
| 2.2 磁控溅射技术及原理 | 第25页 |
| 2.3 材料分析技术 | 第25-28页 |
| 2.4 半导体异质结分析 | 第28-33页 |
| 2.4.1 异质结的光伏特性和光电流 | 第28-30页 |
| 2.4.2 半导体异质结的能带图 | 第30-33页 |
| 2.5 半导体材料功函数 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 制备基于聚芴和ZnO纳米柱的平面异质结光电器件 | 第36-52页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 ZnO纳米柱制备与表征 | 第36-39页 |
| 3.2.1 实验原料与仪器 | 第36页 |
| 3.2.2 ZnO纳米柱阵列的制备方法及流程 | 第36-38页 |
| 3.2.3 ZnO纳米柱阵列的表征 | 第38-39页 |
| 3.3 有机/无机半导体异质结制备 | 第39-41页 |
| 3.3.1 有机/无机半导体异质结的表征 | 第40-41页 |
| 3.4 有机/无机半导体异质结测试与分析 | 第41-48页 |
| 3.4.1 光电性能 | 第41-47页 |
| 3.4.2 电学性能 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 溶液法制备基于聚芴和ZnO纳米晶的异质结光电器件 | 第52-65页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 ZnO纳米晶制备与表征 | 第52-54页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第52页 |
| 4.2.2 低温湿化学法制备ZnO纳米晶 | 第52-53页 |
| 4.2.3 ZnO纳米晶的表征 | 第53-54页 |
| 4.3 异质结的制备与表征 | 第54-57页 |
| 4.3.1 异质结的制备 | 第54-55页 |
| 4.3.2 异质结的表征 | 第55-57页 |
| 4.4 IPHJ异质结的测试与分析 | 第57-61页 |
| 4.4.1 光学性能 | 第57-60页 |
| 4.4.2 电学性能 | 第60-61页 |
| 4.5 NPHJ异质结的测试与分析 | 第61页 |
| 4.6 BHJ异质结的测试与分析 | 第61-62页 |
| 4.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 有机/无机半导体异质结紫外光电探测器 | 第65-70页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 有机/无机半导体异质结紫外光电探测器制备与表征 | 第65-66页 |
| 5.3 有机/无机半导体异质结紫外探测器性能测试 | 第66-67页 |
| 5.4 光电探测器应用 | 第67-68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文总结 | 第70页 |
| 6.2 研究展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间学术成果 | 第73页 |
