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新型稀磁半导体的先进谱学表征和性能研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-34页
    1.1 引言第10页
    1.2 功能材料的简介第10-11页
    1.3 超导材料的简介第11-14页
    1.4 磁性半导体材料第14-28页
        1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体第15-17页
        1.4.2 Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体第17-23页
        1.4.3 氧化物稀磁半导体第23-24页
        1.4.4 Ⅳ-Ⅵ族和Ⅳ族稀磁半导体第24页
        1.4.5 自旋与电荷注入机制相分离的新型稀磁半导体第24-28页
    1.5 理论解释第28-31页
        1.5.1 RKKY模型第28-29页
        1.5.2 平均场理论第29-30页
        1.5.3 载流子调节的双交换理论第30页
        1.5.4 BMP理论第30-31页
    1.6 目前的应用第31-32页
    1.7 本论文的主要研究内容第32-34页
第二章 实验装置和实验方法第34-56页
    2.1 高压科学与技术发展第34-36页
    2.2 金刚石压砧第36-39页
    2.3 金刚石压砧装置中压力的标定第39-44页
        2.3.1 固体状态方程法第39-41页
        2.3.2 光学法第41-44页
    2.4 同步辐射基本介绍第44-45页
    2.5 同步辐射实验技术方法第45-55页
        2.5.1 X射线衍射第45-46页
        2.5.2 X射线吸收谱(X-ray absorption spectroscopy)第46-49页
        2.5.3 X射线磁圆二色(XMCD)第49-52页
        2.5.4 X射线发射谱第52-55页
        2.5.5 穆斯堡尔谱第55页
    2.6 小结第55-56页
第三章 压力对新型稀磁半导体(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2的铁磁性调控研究第56-67页
    3.1 引言第56-57页
    3.2 样品制备第57页
    3.3 (Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2稀磁半导体中As原子常压低温下的电子结构研究第57-61页
    3.4 压力作用下的铁磁性第61-62页
    3.5 压力作用下的电输运性质第62-63页
    3.6 高压下的粉末衍射第63-64页
    3.7 高压下As的K边吸收谱第64-65页
    3.8 本章小结第65-67页
第四章 稀磁半导体(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2中的空穴掺杂和压力效应研究第67-81页
    4.1 引言第67-68页
    4.2 空穴掺杂对(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2稀磁半导体宏观物性的影响第68-70页
    4.3 空穴掺杂对Mn的 3d,As的 4p电子结构和高温铁磁相互作用的影响第70-72页
    4.4 不同温度下Mn的Kβ 发射谱第72-73页
    4.5 压力诱导的半导体/铁磁态到金属/顺磁态转变的微观机制第73-79页
    4.6 本章小结第79-81页
第五章 新型稀磁半导体Li_(1+x)(Zn_(1-y)Mn_y)As高压下的同步辐射X光衍射研究第81-87页
    5.1 引言第81-82页
    5.2 样品的制备第82页
    5.3 高压下的同步辐射X光衍射研究第82-86页
    5.4 本章小结第86-87页
第六章 铁基超导体SmFeAsO高压低温条件下的磁相变第87-92页
    6.1 引言第87页
    6.2 样品的制备第87-88页
    6.3 SmFeAsO铁基超导体在高压低温条件下的磁有序第88-90页
    6.4 SmFeAsO铁基超导体的P-T相图第90-91页
    6.5 本章小结第91-92页
第七章 全文总结第92-94页
参考文献第94-106页
个人简历及发表和待发表文章第106-108页
致谢第108-110页

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