摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-34页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 功能材料的简介 | 第10-11页 |
1.3 超导材料的简介 | 第11-14页 |
1.4 磁性半导体材料 | 第14-28页 |
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体 | 第15-17页 |
1.4.2 Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体 | 第17-23页 |
1.4.3 氧化物稀磁半导体 | 第23-24页 |
1.4.4 Ⅳ-Ⅵ族和Ⅳ族稀磁半导体 | 第24页 |
1.4.5 自旋与电荷注入机制相分离的新型稀磁半导体 | 第24-28页 |
1.5 理论解释 | 第28-31页 |
1.5.1 RKKY模型 | 第28-29页 |
1.5.2 平均场理论 | 第29-30页 |
1.5.3 载流子调节的双交换理论 | 第30页 |
1.5.4 BMP理论 | 第30-31页 |
1.6 目前的应用 | 第31-32页 |
1.7 本论文的主要研究内容 | 第32-34页 |
第二章 实验装置和实验方法 | 第34-56页 |
2.1 高压科学与技术发展 | 第34-36页 |
2.2 金刚石压砧 | 第36-39页 |
2.3 金刚石压砧装置中压力的标定 | 第39-44页 |
2.3.1 固体状态方程法 | 第39-41页 |
2.3.2 光学法 | 第41-44页 |
2.4 同步辐射基本介绍 | 第44-45页 |
2.5 同步辐射实验技术方法 | 第45-55页 |
2.5.1 X射线衍射 | 第45-46页 |
2.5.2 X射线吸收谱(X-ray absorption spectroscopy) | 第46-49页 |
2.5.3 X射线磁圆二色(XMCD) | 第49-52页 |
2.5.4 X射线发射谱 | 第52-55页 |
2.5.5 穆斯堡尔谱 | 第55页 |
2.6 小结 | 第55-56页 |
第三章 压力对新型稀磁半导体(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2的铁磁性调控研究 | 第56-67页 |
3.1 引言 | 第56-57页 |
3.2 样品制备 | 第57页 |
3.3 (Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2稀磁半导体中As原子常压低温下的电子结构研究 | 第57-61页 |
3.4 压力作用下的铁磁性 | 第61-62页 |
3.5 压力作用下的电输运性质 | 第62-63页 |
3.6 高压下的粉末衍射 | 第63-64页 |
3.7 高压下As的K边吸收谱 | 第64-65页 |
3.8 本章小结 | 第65-67页 |
第四章 稀磁半导体(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2中的空穴掺杂和压力效应研究 | 第67-81页 |
4.1 引言 | 第67-68页 |
4.2 空穴掺杂对(Ba_(1-x)K_x)(Zn_(1-y)Mn_y)_2As_2稀磁半导体宏观物性的影响 | 第68-70页 |
4.3 空穴掺杂对Mn的 3d,As的 4p电子结构和高温铁磁相互作用的影响 | 第70-72页 |
4.4 不同温度下Mn的Kβ 发射谱 | 第72-73页 |
4.5 压力诱导的半导体/铁磁态到金属/顺磁态转变的微观机制 | 第73-79页 |
4.6 本章小结 | 第79-81页 |
第五章 新型稀磁半导体Li_(1+x)(Zn_(1-y)Mn_y)As高压下的同步辐射X光衍射研究 | 第81-87页 |
5.1 引言 | 第81-82页 |
5.2 样品的制备 | 第82页 |
5.3 高压下的同步辐射X光衍射研究 | 第82-86页 |
5.4 本章小结 | 第86-87页 |
第六章 铁基超导体SmFeAsO高压低温条件下的磁相变 | 第87-92页 |
6.1 引言 | 第87页 |
6.2 样品的制备 | 第87-88页 |
6.3 SmFeAsO铁基超导体在高压低温条件下的磁有序 | 第88-90页 |
6.4 SmFeAsO铁基超导体的P-T相图 | 第90-91页 |
6.5 本章小结 | 第91-92页 |
第七章 全文总结 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-106页 |
个人简历及发表和待发表文章 | 第106-108页 |
致谢 | 第108-110页 |