当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
二维单层黑磷结构中带间隧穿的研究
闪锌矿InAs及其三元混晶InAs1-xPx材料的第一性原理研究
切割钢丝湿拉断丝研究
化学浴沉积ZnSe薄膜性能的研究
单晶硅表面减反射微结构的优化研究
基于KOH腐蚀的单晶硅表面非周期性微纳米结构的制备
4H-SiC欧姆接触制备及高温热稳定性研究
二维有机半导体电学输运性质的研究
单晶硅表面减反射微结构的制备和表征
有机P型半导体材料的制备及性能研究
锡粉掺杂纳米银焊膏的低温无压烧结研究
氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的性能研究
Power QFN器件封装中第二焊点脱落问题及改进的研究
二氧化钒薄膜的制备及甲烷气敏性能初探
单层二硫化钼的化学气相生长研究
Ⅲ-V族半导体材料带间隧穿的第一性原理研究
二维半导体材料空位及应力对电子结构的影响
单晶锗纳米切削机理和切削极限的研究
基于分子动力学模拟和显微表征的聚焦离子束纳米加工基础研究
三元混晶GaxIn1-xP的电子能带结构和有效质量的第一性原理研究
基于平面等离子共振效应的电子转移研究
荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究
GaAs(Sb,Bi)的光学和自旋极化特性研究
半导体晶圆匀胶系统在线缺陷检测方法研究
红外高折射率材料碲锗铅的生长、性能及应用研究
弱无序红外半导体合金材料的变条件光致发光谱研究
改性石墨相氮化碳及其复合物的光催化性能研究
ZnO基透明导电薄膜的湿化学制备
半导体光催化剂Bi2Fe4O9的软化学合成与可见光催化性质表征
石墨稀负载p型-n型半导体氧化物及其气敏性能研究
C4F8/Ar等离子体刻蚀SiO2的多尺度研究
合金精炼—造渣法提纯冶金硅的研究
微坑阵列模具掩膜电化学刻蚀研究
条纹集电极CIGBT器件仿真与特性研究
TiC/n型4H-SiC氮氢等离子体处理与欧姆接触关系的研究
Si-Al(-Sn)合金凝固精炼过程中硼杂质分凝行为的研究
SiC/SiO2界面形成机理及界面缺陷的第一性原理研究
基于薁的有机小分子半导体材料的设计与合成
基于PLC的半导体洁净室空调控制系统的设计与应用
大尺寸单晶硅阵列窄沟槽磨削加工技术研究
静压液浮大面积电致化学抛光试验台研制
氧化物半导体纳米材料的改性及其光催化特性研究
掺杂GaN和GaN/ZnO界面光电性质的第一性原理研究
基于多像素扫描调制的数字光刻方法研究
薄层二硫化钼中的激子性质研究
单层二硫化钼的光学性能及其调控研究
MOCVD法制备氧化铝薄膜及其阻变特性
基于真空紫外光表面活化的硅基晶圆低温直接键合研究
g-C3N4及其复合材料的磁性与光催化研究
基于自适应滤波的降阶在线系统辨识
上一页
[30]
[31]
[32]
[33]
[34]
下一页
