利用旋涂掺杂工艺与激光退火技术制备高性能Ge器件的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 现代集成电路工艺的发展 | 第10-12页 |
| 1.2 集成电路掺杂工艺 | 第12-15页 |
| 1.3 旋涂掺杂工艺 | 第15-18页 |
| 1.4 激光器在半导体工艺中的应用 | 第18-19页 |
| 1.5 本课题要解决的问题 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 旋涂掺杂与激光退火原理分析 | 第24-36页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验参数 | 第24-28页 |
| 2.3 旋涂掺杂杂质的扩散 | 第28-30页 |
| 2.4 激光热量传导和杂质再分布 | 第30-31页 |
| 2.5 半导体中掺杂的表征 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 激光退火对SOD p-n结性能的改进 | 第36-50页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 欧姆接触 | 第36-41页 |
| 3.3 p-n结工艺流程 | 第41-45页 |
| 3.4 器件性能及分析 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 Ge基SOD工艺晶体管 | 第50-64页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 器件结构和工艺设计 | 第51-55页 |
| 4.3 器件性能测试和分析 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 主要结论 | 第64-65页 |
| 5.2 研究展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第68-69页 |
