摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
1 绪论 | 第12-22页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 层状半导体材料的结构与性质 | 第13-15页 |
1.3 半导体材料禁带宽度的研究现状 | 第15-17页 |
1.4 半导体材料弹性模量的研究现状 | 第17-19页 |
1.5 研究难点与研究方法 | 第19-20页 |
1.6 研究意义与内容安排 | 第20-22页 |
2 基本方法 | 第22-34页 |
2.1 引言 | 第22页 |
2.2 键弛豫理论 | 第22-31页 |
2.2.1 原子配位数缺陷 | 第22-23页 |
2.2.2 键序-键长-键强的关系 | 第23-24页 |
2.2.3 局域键平均近似 | 第24-25页 |
2.2.4 不确定性原理 | 第25-26页 |
2.2.5 量子势阱 | 第26页 |
2.2.6 键弛豫理论 | 第26-27页 |
2.2.7 键弛豫理论表达式 | 第27-28页 |
2.2.8 表体比率 | 第28-29页 |
2.2.9 键弛豫理论的拓展 | 第29-31页 |
2.3 纳米材料可测物理量的计算方法 | 第31-33页 |
2.4 本章小结 | 第33-34页 |
3 尺寸、温度和压强对层状半导体材料禁带宽度的影响 | 第34-52页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 能带理论 | 第35-39页 |
3.2.1 能带的形成 | 第36-37页 |
3.2.2 能带理论的计算方法 | 第37-39页 |
3.3 层状半导体材料禁带宽度与尺寸、温度和压强的关系 | 第39-41页 |
3.4 结果与分析 | 第41-49页 |
3.4.1 层状半导体材料禁带宽度的尺寸效应 | 第41-45页 |
3.4.2 层状半导体材料禁带宽度的温度效应 | 第45-48页 |
3.4.3 层状半导体材料禁带宽度的压强效应 | 第48-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-52页 |
4 尺寸、温度和压强对层状半导体材料弹性模量的影响 | 第52-64页 |
4.1 引言 | 第52-53页 |
4.2 弹性模量 | 第53页 |
4.3 弹性模量与原子键参数的函数关系 | 第53-55页 |
4.4 层状半导体材料弹性模量与尺寸、温度和压强的关系 | 第55-56页 |
4.5 结果与分析 | 第56-63页 |
4.5.1 层状半导体材料弹性模量的尺寸效应 | 第56-59页 |
4.5.2 层状半导体材料弹性模量的温度效应 | 第59-61页 |
4.5.3 层状半导体材料弹性模量的压强效应 | 第61-63页 |
4.6 本章小结 | 第63-64页 |
5 总结与展望 | 第64-66页 |
5.1 全文总结 | 第64-65页 |
5.2 工作展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
致谢 | 第72-74页 |
作者简历 | 第74-76页 |
学位论文数据集 | 第76页 |