| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第13-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-57页 |
| 2.1 自旋电子学概述 | 第17-32页 |
| 2.1.1 自旋电子学的基础应用 | 第18-22页 |
| 2.1.2 稀磁半导体：机遇与挑战 | 第22-27页 |
| 2.1.3 稀磁半导体的磁学操纵 | 第27-32页 |
| 2.2 ZnO基稀磁半导体 | 第32-50页 |
| 2.2.1 ZnO材料研究中的基本问题 | 第32-39页 |
| 2.2.2 ZnO基稀磁半导体的发展历程 | 第39-45页 |
| 2.2.3 ZnO：Cu铁磁现象的研究进展 | 第45-48页 |
| 2.2.4 ZnO：Cu的本征铁磁起源 | 第48-50页 |
| 2.3 ZnO材料的可见光响应 | 第50-54页 |
| 2.3.1 ZnO：Cu基紫外-可见光双波段光电器件的设计 | 第51-52页 |
| 2.3.2 ZnO：Cu基紫外-可见光双波段光电器件可行性分析 | 第52-54页 |
| 2.4 选题依据和研究内容 | 第54-57页 |
| 第三章 实验方法 | 第57-67页 |
| 3.1 ZnO：Cu样品的制备 | 第57-62页 |
| 3.1.1 实验试剂与设备 | 第57-58页 |
| 3.1.2 ZnO：Cu纳米晶的合成 | 第58-59页 |
| 3.1.3 ZnO：Cu纳米晶的化学刻蚀 | 第59页 |
| 3.1.4 纳米晶的成膜与热处理 | 第59-61页 |
| 3.1.5 薄膜的表面处理 | 第61-62页 |
| 3.2 微结构与成分分析 | 第62-64页 |
| 3.3 磁学性能测试 | 第64页 |
| 3.4 电学性能测试 | 第64页 |
| 3.5 光学性能测试 | 第64-65页 |
| 3.6 电极蒸镀与光响应测试 | 第65-67页 |
| 第四章 受主激活的ZnO：Cu铁磁薄膜 | 第67-99页 |
| 4.1 Cu杂质的空间分布与价态 | 第68-77页 |
| 4.2 掺杂纳米晶的能带修饰与键力特征 | 第77-80页 |
| 4.3 杂质的加入与构型转变 | 第80-85页 |
| 4.4 光谱演变与铁磁的胺激活 | 第85-97页 |
| 4.5 本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 双施主辅助的ZnO：Cu铁磁薄膜 | 第99-121页 |
| 5.1 薄膜的微结构与缺陷态 | 第100-109页 |
| 5.2 双施主缺陷铁磁原理 | 第109-116页 |
| 5.3 颗粒膜中的磁不稳定因素 | 第116-118页 |
| 5.4 本章小结 | 第118-121页 |
| 第六章 ZnO：Cu铁磁薄膜的磁学操纵 | 第121-149页 |
| 6.1 磁性的缺陷极化控制 | 第121-124页 |
| 6.2 磁性的电学控制 | 第124-137页 |
| 6.2.1 H_o施主的引入与缺陷重构 | 第125-132页 |
| 6.2.2 巨磁矩起源与电学操纵 | 第132-137页 |
| 6.3 磁性的光学控制 | 第137-147页 |
| 6.3.1 束缚载流子与自由载流子的区别 | 第138-141页 |
| 6.3.2 光退磁机理与光学操纵 | 第141-147页 |
| 6.4 本章小结 | 第147-149页 |
| 第七章 ZnO：Cu薄膜的双波段光电响应 | 第149-169页 |
| 7.1 缺陷结构与光敏特性 | 第149-154页 |
| 7.2 紫外-可见光响应性能 | 第154-158页 |
| 7.3 可见光响应机理 | 第158-164页 |
| 7.4 器件性能的优化策略 | 第164-168页 |
| 7.5 本章小结 | 第168-169页 |
| 第八章 结论 | 第169-173页 |
| 8.1 全文总结 | 第169-171页 |
| 8.2 本文的主要创新点 | 第171-172页 |
| 8.3 工作展望 | 第172-173页 |
| 参考文献 | 第173-197页 |
| 致谢 | 第197-199页 |
| 个人简历 | 第199-201页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它科研成果 | 第201-203页 |