半导体0.18um工艺金属层MUV光刻技术研究及优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 国内外光刻技术发展现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文研究的意义 | 第10-11页 |
| 1.4 本文章节结构 | 第11-12页 |
| 第2章 半导体芯片制造工艺及光刻工艺 | 第12-21页 |
| 2.1 半导体芯片制造流程 | 第12-13页 |
| 2.2 光刻工艺 | 第13-20页 |
| 2.2.1 光学基本理论 | 第13-14页 |
| 2.2.2 光刻机介绍 | 第14-17页 |
| 2.2.3 光刻主要工艺指标 | 第17-18页 |
| 2.2.4 光刻工艺流程 | 第18-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 半导体0.18um工艺金属层DUV工艺 | 第21-25页 |
| 3.1 金属层基本工艺结构 | 第21-22页 |
| 3.2 金属层光刻DUV工艺 | 第22-24页 |
| 3.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第4章 半导体0.18um工艺金属层MUV工艺 | 第25-43页 |
| 4.1 抗反射涂层优化 | 第25-27页 |
| 4.1.1 抗反射涂层介绍 | 第25页 |
| 4.1.2 抗反射涂层原理及工艺指标 | 第25-26页 |
| 4.1.3 抗反射涂层优化 | 第26-27页 |
| 4.2 光刻胶的选择 | 第27-29页 |
| 4.2.1 光刻胶简介 | 第27页 |
| 4.2.2 光刻胶的性能评价指标 | 第27-28页 |
| 4.2.3 光刻胶类型选择 | 第28-29页 |
| 4.3 软烘和涂胶及显影程序优化 | 第29-34页 |
| 4.3.1 软烘温度优化 | 第29-30页 |
| 4.3.2 光刻胶厚度优化 | 第30-32页 |
| 4.3.3 显影程序优化 | 第32-34页 |
| 4.4 曝光条件优化 | 第34-37页 |
| 4.4.1 曝光优化参数因子 | 第34-35页 |
| 4.4.2 曝光优化及数据 | 第35-37页 |
| 4.5 OPC辅助一维和二维结构的优化 | 第37-42页 |
| 4.5.1 OPC辅助概述 | 第37页 |
| 4.5.2 图像失真类型及OPC修正方法 | 第37-38页 |
| 4.5.3 OPC对MUV金属层修正的基本数据 | 第38-42页 |
| 4.5.4 OPC对MUV金属层结构数据分析 | 第42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 半导体0.18um工艺产品验证 | 第43-49页 |
| 5.1 在线产品MUV金属层光刻工艺窗口检查 | 第43-45页 |
| 5.1.1 基本工艺窗口检查 | 第43-44页 |
| 5.1.2 一维二维结构检查 | 第44-45页 |
| 5.2 实际产品最终良率及安全窗口检查 | 第45-48页 |
| 5.3 试验结果 | 第48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第6章 总结和展望 | 第49-51页 |
| 6.1 研究成果及创新点 | 第49-50页 |
| 6.2 未来展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
