拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线的微加工及自旋注入检测
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 拓扑绝缘体概述 | 第9-24页 |
| 1.1.0 拓扑绝缘体分类 | 第9-11页 |
| 1.1.1 三维拓扑绝缘体 | 第11-17页 |
| 1.1.2 Bi_2Se_3基拓扑绝缘材料 | 第17-18页 |
| 1.1.3 三维Bi_2Se_3研究现状 | 第18-19页 |
| 1.1.4 自旋注入的产生和检测 | 第19-24页 |
| 1.2 光刻工艺及研究现状 | 第24-35页 |
| 1.2.1 光刻技术的发展 | 第25-28页 |
| 1.2.2 无掩膜光刻 | 第28-31页 |
| 1.2.3 Bi_2Se_3的工艺器件制造 | 第31-35页 |
| 第二章 实验工艺 | 第35-45页 |
| 2.1 Bi_2Se_3纳米线器件原理 | 第35-36页 |
| 2.2 光刻制备Bi_2Se_3纳米线器件 | 第36-41页 |
| 2.2.1 基板对制程器件的影响 | 第36-37页 |
| 2.2.2 光刻胶旋涂厚度对质量的影响 | 第37-38页 |
| 2.2.3 基板前烘 | 第38-39页 |
| 2.2.4 紫外曝光剂量控制 | 第39-40页 |
| 2.2.5 显影剂及显影 | 第40-41页 |
| 2.3 电子束曝光制备Bi_2Se_3纳米线器件 | 第41-45页 |
| 2.3.1 电子束抗蚀剂 | 第41-42页 |
| 2.3.2 邻近效应 | 第42-45页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第45-64页 |
| 3.1 实验设备及流程 | 第45-55页 |
| 3.1.1 紫外线曝光 | 第45-48页 |
| 3.1.2 无掩膜光刻 | 第48-52页 |
| 3.1.3 电子束曝光 | 第52-55页 |
| 3.2 Bi_2Se_3表征数据 | 第55-59页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM)测量 | 第55-57页 |
| 3.2.2 原子力显微镜(AFM)测量 | 第57-58页 |
| 3.2.3 能量色散X射线光谱(EDX)测量 | 第58-59页 |
| 3.3 器件输运性质测量 | 第59-64页 |
| 第四章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 4.1 总结 | 第64页 |
| 4.2 未来发展 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
