| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 研究目的 | 第10-11页 |
| 1.3 研究结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| 2.1 引言 | 第12-13页 |
| 2.2 直拉单晶硅的氧化诱生层错 | 第13-24页 |
| 2.2.1 氧化诱生层错的形核及长大 | 第13-16页 |
| 2.2.2 氧化诱生层错的生长与收缩动力学特性 | 第16-21页 |
| 2.2.3 氧化诱生层错的形貌与观察 | 第21-22页 |
| 2.2.4 氧化诱生层错的抑制与消除 | 第22-24页 |
| 2.3 直拉硅单晶的重掺杂 | 第24-32页 |
| 2.3.1 重掺杂直拉硅单晶的生长 | 第24页 |
| 2.3.2 重掺杂效应对点缺陷的影响 | 第24-28页 |
| 2.3.3 重掺杂效应对氧化诱生层错的影响 | 第28-32页 |
| 第三章 实验样品和实验方法 | 第32-38页 |
| 3.1 实验样品及其制备 | 第32-33页 |
| 3.1.1 实验样品 | 第32页 |
| 2.1.2 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.2 实验方法 | 第33-38页 |
| 3.2.1 实验设备及方法 | 第33-36页 |
| 3.2.2 第一性原理计算 | 第36-38页 |
| 第四章 重掺直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的行为 | 第38-46页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验样品及方案 | 第38-39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第五章 重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的形成 | 第46-56页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 实验样品及方法 | 第46-47页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第47-54页 |
| 5.3.1 重掺锑和重掺磷直拉硅片的OSF密度的对比研究 | 第47-52页 |
| 5.3.2 形核中心对重掺锑和重掺磷直拉硅片的OSF长度的影响 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的动力学研究 | 第56-68页 |
| 6.1 引言 | 第56页 |
| 6.2 实验和理论计算 | 第56-58页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第58-66页 |
| 6.3.1 掺杂剂对重掺锑和重掺磷直拉硅片的OSF生长的影响 | 第58-60页 |
| 6.3.2 掺杂剂(锑和磷)原子对硅中点缺陷复合的影响 | 第60-63页 |
| 6.3.3 重掺n型直拉硅片的OSF的收缩 | 第63-66页 |
| 6.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第七章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 个人简历 | 第76-78页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第78页 |
