首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

基于AZO籽晶层生长ZnO纳米棒阵列异质结光电响应特性的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 ZnO基紫外光探测器第9-15页
        1.1.1 ZnO材料的基本性质第9-10页
        1.1.2 ZnO基紫外光探测器的工作原理第10-11页
        1.1.3 ZnO基紫外光探测器的研究进展第11-15页
            1.1.3.1 ZnO基肖特基结光探测器第11-12页
            1.1.3.2 ZnO异质结光探测器第12-15页
        1.1.4 ZnO基紫外光探测器存在的问题第15页
    1.2 本课题研究内容和研究意义第15-17页
        1.2.1 研究内容第15-16页
        1.2.2 研究意义第16-17页
第二章 制备方法和表征手段第17-22页
    2.1 制备方法第17-18页
        2.1.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel)第17页
        2.1.2 化学浴沉积法(CBD)第17页
        2.1.3 电化学沉积法第17页
        2.1.4 液相剥离法第17页
        2.1.5 实验试剂第17-18页
    2.2 表征手段第18-22页
        2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)第18-19页
        2.2.2 透射电子显微镜(TEM)第19-20页
        2.2.3 X射线衍射(XRD)第20页
        2.2.4 光致发光光谱(PL)第20-21页
        2.2.5 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)第21页
        2.2.6 莫特肖特基(M-S)和交流阻抗(EIS)第21页
        2.2.7 器件光电响应特性第21-22页
第三章 AZO籽晶层薄膜生长ZnO纳米棒阵列异质结紫外光电响应特性研究第22-38页
    3.1 引言第22页
    3.2 实验部分第22-23页
        3.2.1 制备AZO籽晶层薄膜和ZnO NRs第22-23页
        3.2.2 构筑Au/ZnO NRs和CuSCN/ZnO NRs异质结第23页
    3.3 结果与讨论第23-37页
        3.3.1 AZO籽晶层薄膜形貌、结构、光学和电学性质第23-25页
        3.3.2 ZnO NRs形貌、结构、光学和电学性质第25-33页
        3.3.3 CuSCN/ZnO NRs异质结光电响应特性第33-37页
    3.4 本章总结第37-38页
第四章 ZnO纳米棒阵列与MoS_2纳米片异质结光电响应特性研究第38-52页
    4.1 引言第38-39页
    4.2 实验部分第39页
    4.3 结果与讨论第39-51页
        4.3.1 MoS_2纳米片形貌、结构和光学性质第39-41页
        4.3.2 MoS_2/ZnO NRs异质结光电响应特性第41-51页
    4.4 本章结论第51-52页
第五章 总结与展望第52-54页
    5.1 全文总结第52页
    5.2 工作展望第52-54页
参考文献第54-63页
发表论文和科研情况说明第63-64页
致谢第64页

论文共64页,点击 下载论文
上一篇:马克思哲学的“社会”概念
下一篇:预防克罗恩病术后复发的研究