| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 ZnO基紫外光探测器 | 第9-15页 |
| 1.1.1 ZnO材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 ZnO基紫外光探测器的工作原理 | 第10-11页 |
| 1.1.3 ZnO基紫外光探测器的研究进展 | 第11-15页 |
| 1.1.3.1 ZnO基肖特基结光探测器 | 第11-12页 |
| 1.1.3.2 ZnO异质结光探测器 | 第12-15页 |
| 1.1.4 ZnO基紫外光探测器存在的问题 | 第15页 |
| 1.2 本课题研究内容和研究意义 | 第15-17页 |
| 1.2.1 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第16-17页 |
| 第二章 制备方法和表征手段 | 第17-22页 |
| 2.1 制备方法 | 第17-18页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法（Sol-Gel） | 第17页 |
| 2.1.2 化学浴沉积法（CBD） | 第17页 |
| 2.1.3 电化学沉积法 | 第17页 |
| 2.1.4 液相剥离法 | 第17页 |
| 2.1.5 实验试剂 | 第17-18页 |
| 2.2 表征手段 | 第18-22页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第18-19页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第19-20页 |
| 2.2.3 X射线衍射（XRD） | 第20页 |
| 2.2.4 光致发光光谱（PL） | 第20-21页 |
| 2.2.5 紫外-可见吸收光谱（UV-Vis） | 第21页 |
| 2.2.6 莫特肖特基（M-S）和交流阻抗（EIS） | 第21页 |
| 2.2.7 器件光电响应特性 | 第21-22页 |
| 第三章 AZO籽晶层薄膜生长ZnO纳米棒阵列异质结紫外光电响应特性研究 | 第22-38页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 实验部分 | 第22-23页 |
| 3.2.1 制备AZO籽晶层薄膜和ZnO NRs | 第22-23页 |
| 3.2.2 构筑Au/ZnO NRs和CuSCN/ZnO NRs异质结 | 第23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-37页 |
| 3.3.1 AZO籽晶层薄膜形貌、结构、光学和电学性质 | 第23-25页 |
| 3.3.2 ZnO NRs形貌、结构、光学和电学性质 | 第25-33页 |
| 3.3.3 CuSCN/ZnO NRs异质结光电响应特性 | 第33-37页 |
| 3.4 本章总结 | 第37-38页 |
| 第四章 ZnO纳米棒阵列与MoS_2纳米片异质结光电响应特性研究 | 第38-52页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 实验部分 | 第39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-51页 |
| 4.3.1 MoS_2纳米片形貌、结构和光学性质 | 第39-41页 |
| 4.3.2 MoS_2/ZnO NRs异质结光电响应特性 | 第41-51页 |
| 4.4 本章结论 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 工作展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
