基于能带调控的单层MoS2掺杂仿真研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 二硫化钼介绍 | 第11-12页 |
| 1.1.2 二硫化钼的性质及应用 | 第12-15页 |
| 1.2 二硫化钼能带调控的主要方法 | 第15-17页 |
| 1.2.1 掺杂调控 | 第16页 |
| 1.2.2 空位缺陷调控 | 第16页 |
| 1.2.3 应力调控 | 第16-17页 |
| 1.2.4 外加电场调控 | 第17页 |
| 1.2.5 构造异质结构 | 第17页 |
| 1.3 本文选题依据、研究现状及主要内容 | 第17-21页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第17-18页 |
| 1.3.2 研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3.3 研究主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 基础理论及VASP软件简介 | 第21-27页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第21-22页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第21页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第21-22页 |
| 2.2 密度泛函理论（DFT） | 第22-23页 |
| 2.2.1 局域密度近似（LDA） | 第22页 |
| 2.2.2 广义梯度近似（GGA） | 第22-23页 |
| 2.3 计算软件简介 | 第23-27页 |
| 2.3.1 MS软件包 | 第23-24页 |
| 2.3.2 VASP软件包 | 第24-27页 |
| 第三章 非金属元素Se掺杂对单层MoS2的影响 | 第27-37页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 计算方法与结构模型 | 第27-28页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第27-28页 |
| 3.2.2 模型构造 | 第28页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第28-35页 |
| 3.3.1 结构分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 能带结构 | 第30-33页 |
| 3.3.3 态密度 | 第33-34页 |
| 3.3.4 光学性质 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 金属元素Nb掺杂对单层MoS2的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 计算方法与结构模型 | 第37-39页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第37-38页 |
| 4.2.2 模型构造 | 第38-39页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第39-45页 |
| 4.3.1 结构分析 | 第39页 |
| 4.3.2 能带结构及态密度 | 第39-44页 |
| 4.3.3 电荷局域密度分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 结构的稳定性 | 第45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 空位缺陷对单层MoS2电子结构的调控 | 第47-57页 |
| 5.1 引言 | 第47-48页 |
| 5.2 计算方法与结构模型 | 第48-49页 |
| 5.2.1 模型构建 | 第48页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第48-49页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第49-54页 |
| 5.3.1 结构分析 | 第49-50页 |
| 5.3.2 能带结构 | 第50-52页 |
| 5.3.3 态密度 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-61页 |
| 6.1 全文总结 | 第57-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及获得的成果 | 第69页 |
