| 第一章 红外探测器的发展与应用 | 第1-23页 |
| §1．1 引言 | 第8-11页 |
| §1．2 红外探测器分类与比较 | 第11-14页 |
| §1．3 多元探测器及焦平面器件 | 第14-17页 |
| §1．4 几种Ⅲ-Ⅴ族半导体红外探测器 | 第17-19页 |
| §1．5 本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 金属有机化学气相淀积技术与设备 | 第23-42页 |
| §2．1 MOCVD技术 | 第23-31页 |
| §2．2 LPMOCVD设备 | 第31-38页 |
| §2．3 MOCVD技术发展趋势 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 InGaAs材料的LPMOCVD生长 | 第42-68页 |
| §3．1 引言 | 第42-44页 |
| §3．2 生长温度的影响 | 第44-49页 |
| §3．3 Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第49-53页 |
| §3．4 砷烷和磷烷转换时间的影响 | 第53-57页 |
| §3．5 缓冲层的影响 | 第57-59页 |
| §3．6 外延片的均匀性研究 | 第59-62页 |
| §3．7 小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第四章 InGaAs材料的光致发光研究 | 第68-85页 |
| §4．1 引言 | 第68-69页 |
| §4．2 生长条件对室温光致发光的影响 | 第69-74页 |
| §4．3 InGaAs的低温光致发光研究 | 第74-79页 |
| §4．4 In_xGa_（1-x）As变激发强度和变温光致发光谱 | 第79-82页 |
| §4．5 小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 InGaAs材料的拉曼散射研究 | 第85-98页 |
| §5．1 引言 | 第85-87页 |
| §5．2 晶格失配对拉曼散射的影响 | 第87-89页 |
| §5．3 生长条件对拉曼散射的影响 | 第89-91页 |
| §5．4 In_（0．53）Ga_（0．47）As/InP异质结构材料的变温拉曼散射 | 第91-94页 |
| §5．5 小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第六章 InGaAs红外探测器列阵材料制备与器件制作研究 | 第98-111页 |
| §6．1 引言 | 第98-99页 |
| §6．2 InGaAs室温红外探测器列阵器件结构材料生长 | 第99-102页 |
| §6．3 InGaAs室温红外探测器列阵器件制作工艺 | 第102-104页 |
| §6．4 红外探测器探测率影响因素分析 | 第104-106页 |
| §6．5 InGaAs室温红外探测器器件结构设计 | 第106-109页 |
| §6．6 小结 | 第109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第七章 结论 | 第111-115页 |
| 攻读博士学位期间发表论文和专利情况 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
