| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-32页 |
| ·ZnO的性质及应用 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的制备技术 | 第11-16页 |
| ·电子束蒸发 | 第11-12页 |
| ·溅射法 | 第12-13页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第13-14页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第14-15页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第15-16页 |
| ·ZnO的研究进展 | 第16-31页 |
| ·ZnO发光性能研究 | 第16-20页 |
| ·ZnO薄膜中的本征点缺陷 | 第20-23页 |
| ·p型ZnO的研究进展 | 第23-31页 |
| ·本文立论依据 | 第31-32页 |
| 第二章 直流反应磁控溅射原理 | 第32-39页 |
| ·气体辉光放电原理 | 第32-33页 |
| ·溅射产额 | 第33-35页 |
| ·入射离子能量 | 第34页 |
| ·离子入射角度 | 第34-35页 |
| ·靶材温度 | 第35页 |
| ·溅射粒子的能量 | 第35-37页 |
| ·磁控溅射原理 | 第37-39页 |
| 第三章 Al-N共掺制备ZnO薄膜实验介绍 | 第39-44页 |
| ·S型枪直流反应磁控溅射设备 | 第39-40页 |
| ·溅射靶材 | 第40-41页 |
| ·ZnO薄膜生长衬底(基片)的选择和清洗 | 第41页 |
| ·S型枪直流反应磁控溅射制备ZnO薄膜的过程 | 第41-43页 |
| ·ZnO薄膜物理性能测试 | 第43-44页 |
| 第四章 共掺与非共掺ZnO薄膜的性能比较 | 第44-48页 |
| ·电学性能比较 | 第44-45页 |
| ·光学性能比较 | 第45-46页 |
| ·Al-N共掺ZnO薄膜SIMS分析 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 衬底温度对ZnO薄膜性质的影响 | 第48-57页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第48-53页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第48-51页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜迁移率的影响 | 第51-52页 |
| ·衬底温度ZnO薄膜电阻率的影响 | 第52-53页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对薄膜结构性能的影响 | 第54-55页 |
| ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第六章 不同组分靶材对ZnO薄膜性质的影响 | 第57-63页 |
| ·Al含量对薄膜电学性能的影响 | 第57-60页 |
| ·Al含量对ZnO薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第57-59页 |
| ·Al含量对ZnO薄膜迁移率的影响 | 第59-60页 |
| ·Al含量对薄膜光学性能的影响 | 第60-61页 |
| ·Al含量对薄膜结构性能的影响 | 第61页 |
| ·Al含量对薄膜形貌的影响 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第七章 生长气氛中N_2O分压比对ZnO薄膜性质的影响 | 第63-68页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜电学特性的影响 | 第63-64页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第63页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜迁移率和电阻率的影响 | 第63-64页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜光学特性的影响 | 第64-66页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜结构性能的影响 | 第66页 |
| ·N2O分压比对ZnO薄膜形貌的影响 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第八章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |