| 引言 | 第1-8页 |
| 1 多晶硅薄膜概述 | 第8-13页 |
| ·多晶硅材料 | 第8-9页 |
| ·多晶硅薄膜及其器件发展 | 第9-11页 |
| ·多晶硅薄膜制备 | 第11-13页 |
| 2 多晶硅薄膜晶粒间界 | 第13-17页 |
| ·晶粒间界 | 第13-14页 |
| ·晶界模型 | 第14-15页 |
| ·带隙能态测量方法 | 第15-16页 |
| ·研究结果及存在的问题 | 第16-17页 |
| 3 OEMS技术及其基本理论 | 第17-28页 |
| ·OEMS技术 | 第17-18页 |
| ·OEMS测量系统 | 第18-21页 |
| ·OEMS基本理论 | 第21-28页 |
| 4 多晶硅薄膜场效应结构及其OEMS | 第28-33页 |
| ·多晶硅薄膜场效应晶体管 | 第28-29页 |
| ·POLY-SI TFTs的OEMS | 第29-33页 |
| 5 晶界的a-Si:H模型及其OEMS分析 | 第33-42页 |
| ·多晶硅晶粒间界的氢化非晶硅模型 | 第33-35页 |
| ·多晶硅薄膜场效应结构的OEMS分析 | 第35-39页 |
| ·多晶硅晶粒间界的带隙能态性质 | 第39-42页 |
| 结束语 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47页 |