| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-24页 |
| 第一节 扩散原理 | 第8-13页 |
| 第二节 SiO_2-Si内界面 | 第13-17页 |
| 第三节 p型杂质Ga的掺杂方法 | 第17-18页 |
| 第四节 Ga掺杂特性的研究现状 | 第18-24页 |
| 第二章 实验 | 第24-29页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第29-51页 |
| 第一节 SiO_2膜的生长特性 | 第29-30页 |
| 第二节 恒定源和限定源扩散中的分凝 | 第30-42页 |
| 第三节 二次氧化过程中的分凝 | 第42-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第58页 |