| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·稀磁半导体薄膜研究与进展 | 第9-13页 |
| ·稀磁半导体 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体的研究、近况及发展趋势 | 第10-13页 |
| ·本底材料 GaN的基本性质与特性 | 第13-18页 |
| ·GaN晶体结构的特性和物理性质 | 第13-15页 |
| ·化学性质 | 第15页 |
| ·电学特性 | 第15-17页 |
| ·光学特性 | 第17-18页 |
| 2 膜生长理论与 GaN基薄膜的外延生长方法 | 第18-26页 |
| ·薄膜的成核原理 | 第18-21页 |
| ·外延单晶薄膜生长类型 | 第21-23页 |
| ·岛状生长模式 | 第21-22页 |
| ·层状生长模式 | 第22-23页 |
| ·混合生长模式 | 第23页 |
| ·GaN基薄膜的外延生长方法 | 第23-24页 |
| ·气相外延 | 第23页 |
| ·分子束外延 | 第23-24页 |
| ·有机金属化学气相沉积 | 第24页 |
| ·影响薄膜外延的因素 | 第24-26页 |
| ·外延温度 | 第25页 |
| ·外延速率的影响 | 第25页 |
| ·膜厚的影响 | 第25页 |
| ·失配度的影响 | 第25-26页 |
| 3 实验设备和分析技术 | 第26-38页 |
| ·实验设备 | 第26-31页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·电子回旋共振—等离子体增强金属有机化学气相沉积 | 第26-28页 |
| ·ESPD-U的总体结构及特征 | 第28-31页 |
| ·薄膜的分析技术 | 第31-38页 |
| ·X射线衍射 | 第31-32页 |
| ·反射高能电子衍射 | 第32-34页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第34-35页 |
| ·原子力显微镜 | 第35-37页 |
| ·电子探针 | 第37-38页 |
| 4 基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征 | 第38-51页 |
| ·GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD的制备 | 第38-44页 |
| ·衬底材料的选择 | 第38-39页 |
| ·氮源、镓源和锰源的选择 | 第39-40页 |
| ·衬底的化学清洗和等离子体清洗 | 第40-42页 |
| ·氮化 | 第42-43页 |
| ·缓冲层的生长 | 第43-44页 |
| ·外延层的生长 | 第44页 |
| ·生长温度、Cp_2Mn流量和N_2流量对薄膜中Mn含量的影响 | 第44-45页 |
| ·GaMnN薄膜的表面形貌和结构特性 | 第45-48页 |
| ·RHEED分析 | 第45-46页 |
| ·XRD分析 | 第46-47页 |
| ·表面形貌分析 | 第47页 |
| ·电子探针分析 | 第47-48页 |
| ·GaMnN薄膜的磁性表征 | 第48-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |