| 第一章 绪论 | 第1-22页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18-19页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第19页 |
| ·生长ZnO薄膜的衬底 | 第19-21页 |
| ·衬底的选择 | 第19-20页 |
| ·蓝宝石(0001)面简介 | 第20-21页 |
| ·在蓝宝石(0001)面上直接生长ZnO薄膜存在的困难 | 第21页 |
| ·本论文的研究内容和目的 | 第21-22页 |
| 第二章 射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)技术 | 第22-33页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)设备 | 第23-30页 |
| ·Zn源系统 | 第24-25页 |
| ·O源系统 | 第25-27页 |
| ·反射式高能电子衍射仪(RHEED)系统 | 第27-29页 |
| ·样品台系统 | 第29-30页 |
| ·分子束外延生长过程 | 第30-31页 |
| ·我们使用的rf-MBE系统 | 第31-33页 |
| 第三章 高质量ZnO单晶薄膜的制备 | 第33-47页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·衬底的清洗 | 第34-35页 |
| ·用Ga浸润层对衬底表面进行修正的方案制备高质量ZnO单晶薄膜 | 第35-41页 |
| ·实验过程 | 第35页 |
| ·结果和讨论 | 第35-40页 |
| ·本节小结 | 第40-41页 |
| ·用MgO作缓冲层的方案制备高质量ZnO单晶薄膜 | 第41-44页 |
| ·实验过程 | 第41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-44页 |
| ·本节小结 | 第44页 |
| ·用N等离子体对衬底进行预处理的方案制备高质量ZnO单晶薄膜 | 第44-47页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·结果和讨论 | 第45页 |
| ·本节小结 | 第45-47页 |
| 第四章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 发表或准备发表的文章 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
