| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| 1．1 概述 | 第7-9页 |
| 1．1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．1．2 GaN材料的性质 | 第8-9页 |
| 1．2 GaN的生长技术 | 第9-11页 |
| 1．2．1 GaN异质外延衬底的选择 | 第9-10页 |
| 1．2．2 材料生长方法 | 第10-11页 |
| 1．3 GaN基器件及应用前景 | 第11-14页 |
| 1．4 论文的选题依据及主要研究工作 | 第14-15页 |
| 第二章 实验装置原理及其组成 | 第15-22页 |
| 2．1 引言 | 第15页 |
| 2．2 电子回旋共振金属有机物化学汽相沉积技术 | 第15-17页 |
| 2．2．1 MOCVD（金属有机物化学汽相沉积）介绍 | 第15-16页 |
| 2．2．2 电子回旋共振（ECR）放电的原理及其特征 | 第16-17页 |
| 2．3 ESPD-U组成及其特征 | 第17-20页 |
| 2．4 小结 | 第20-22页 |
| 第三章 薄膜的生长机理与影响因素 | 第22-29页 |
| 3．1 薄膜的生长机理 | 第22-27页 |
| 3．1．1 薄膜的成核 | 第22-25页 |
| 3．1．2 薄膜生长模式 | 第25-27页 |
| 3．2 影响薄膜结构和成核的因素 | 第27-28页 |
| 3．3 小结 | 第28-29页 |
| 第四章 常用分析方法简介 | 第29-35页 |
| 4．1 反射高能电子衍射 | 第29-31页 |
| 4．1．1 RHEED原理 | 第29-30页 |
| 4．1．2 RHEED图像分析 | 第30-31页 |
| 4．2 原子力显微镜 | 第31-33页 |
| 4．3 X射线衍射 | 第33-34页 |
| 4．3．1 X光衍射原理 | 第33页 |
| 4．3．2 X射线衍射分析 | 第33-34页 |
| 4．4 小结 | 第34-35页 |
| 第五章 六方GaN薄膜生长工艺与试验结果分析 | 第35-48页 |
| 5．1 六方GaN薄膜生长工艺 | 第35-46页 |
| 5．1．1 衬底的清洗 | 第35-40页 |
| 5．1．2 氮化 | 第40-43页 |
| 5．1．3 缓冲层的生长 | 第43-46页 |
| 5．2 GaN异质外延生长 | 第46-47页 |
| 5．3 小结 | 第47-48页 |
| 第六章 半导体薄膜生长实时监控系统的设计与应用 | 第48-59页 |
| 6．1 系统分析 | 第48-50页 |
| 6．1．1 GaN生长工艺特点及参数对薄膜晶质影响 | 第48-49页 |
| 6．1．2 系统需要实现的功能 | 第49-50页 |
| 6．2 硬件电路设计 | 第50-52页 |
| 6．2．1 相关实验设备接口特性分析 | 第50页 |
| 6．2．2 系统硬件结构组成 | 第50-52页 |
| 6．3 系统程序设计 | 第52-56页 |
| 6．3．1 系统的组成 | 第52-54页 |
| 6．3．2 软件的编程 | 第54-56页 |
| 6．4 系统使用指南 | 第56-57页 |
| 6．5 系统使用效果与评价 | 第57-58页 |
| 6．6 结论和展望 | 第58-59页 |
| 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
