| 1． 绪论 | 第1-18页 |
| §1．1 引言 | 第8-9页 |
| §1．2 SiC晶体生长技术简述 | 第9-13页 |
| 1．2．1 高温升华法 | 第9-11页 |
| 1．2．2 化学气相淀积法（CVD） | 第11-12页 |
| 1．2．3 液相生长法 | 第12-13页 |
| §1．3 研究背景 | 第13-18页 |
| 1．3．1 β-SiC及其生长方法概述 | 第13-16页 |
| 1．3．2 用高温升华法在Si衬底上生长β-SiC的可行性分析 | 第16-17页 |
| 1．3．3 本文主要内容 | 第17-18页 |
| 2． 实验设备与样品制备工艺 | 第18-27页 |
| §2．1 实验设备主要组成部分及功能 | 第18-21页 |
| §2．2 坩埚组件的设计制作 | 第21-23页 |
| §2．3 样品制备工艺 | 第23-27页 |
| 2．3．1 SiC粉和Si衬底的清洁处理 | 第23-24页 |
| 2．3．2 SiC粉的烧结处理 | 第24-25页 |
| 2．3．3 Si衬底的碳化 | 第25-26页 |
| 2．3．4 外延生长 | 第26-27页 |
| 3． 实验样品分析 | 第27-38页 |
| §3．1 XRD分析 | 第27-31页 |
| §3．2 TEM分析 | 第31-35页 |
| §3．3 Raman散射分析 | 第35-38页 |
| 4． 生长源和关键实验条件 | 第38-47页 |
| §4．1 SiC粉的选择 | 第38-41页 |
| §4．2 衬底温度 | 第41-44页 |
| §4．3 超饱和度和生长源温度 | 第44-47页 |
| 5． 结论 | 第47-49页 |
| §5．1 结论 | 第47页 |
| §5．2 进一步的工作设想 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 附录 | 第53页 |