| 致谢 | 第1-3页 |
| 发表的论文目录 | 第3-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一篇 氧化钒红外敏感膜的制备和性能研究 | 第13-54页 |
| 第一章 综述 氧化钒薄膜的性质及主要制备方法 | 第13-24页 |
| 1．1．1 晶体结构与性能 | 第14-18页 |
| 1．1．1．1 五氧化二钒（V_2O_5） | 第15-17页 |
| 1．1．1．2 二氧化钒（VO_2） | 第17-18页 |
| 1．1．2 氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第18-21页 |
| 1．1．2．1 溅射法 | 第18-19页 |
| 1．1．2．2 溶胶-凝胶法 | 第19-20页 |
| 1．1．2．3 脉冲激光沉积 | 第20-21页 |
| 1．1．2．4 蒸发法 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 Sol-gel氧化钒薄膜研究 | 第24-33页 |
| 1．2．1 Sol-Gel V_2O_5薄膜的制备 | 第24-28页 |
| 1．2．1．1 溶胶制备 | 第24页 |
| 1．2．1．2 衬底的亲水处理 | 第24-25页 |
| 1．2．1．3 Sol-Gel V_2O_5薄膜的性质 | 第25-27页 |
| 1．2．1．4 Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜机理 | 第27-28页 |
| 1．2．2 二氧化钒薄膜的制备 | 第28-32页 |
| 1．2．2．1 由V_2O_5至VO_2的降价过程 | 第28-30页 |
| 1．2．2．2 烘烤过程对VO_2薄膜结构和转换特性的影响 | 第30-32页 |
| 1．2．3 本章小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 离子束增强沉积氧化钒薄膜研究 | 第33-45页 |
| 1．3．1 成膜机理 | 第33页 |
| 1．3．2 IBED方法制备氧化钒薄膜 | 第33-40页 |
| 1．3．2．1 二氧化钒薄膜的制备 | 第33-35页 |
| 1．3．2．2 IBED二氧化钒薄膜的结构 | 第35-38页 |
| 1．3．2．3 IBED VO_2的电学特性 | 第38-40页 |
| 1．3．3 退火温度对薄膜转换温度的影响 | 第40-43页 |
| 1．3．4 本章小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 IBED和Sol-gel方法制备的氧化钒薄膜结构和性能比较 | 第45-54页 |
| 1．4．1 样品的制备 | 第45-46页 |
| 1．4．2 二氧化钒薄膜的结构和性能比较 | 第46-52页 |
| 1．4．2．1 结构的比较 | 第46-48页 |
| 1．4．2．2 转换特性的比较 | 第48-49页 |
| 1．4．2．3 温度系数TCR的比较 | 第49-52页 |
| 1．4．3 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第二篇 非制冷焦平面红外成像阵列研究 | 第54-111页 |
| 第一章 引言 | 第54-58页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第二章 热释电红外成像传感器的性能表征 | 第58-66页 |
| 2．2．1 热释电效应定义 | 第58页 |
| 2．2．2 理想热释电探测器的参数表征 | 第58-64页 |
| 2．2．2．1 电流和电压响应率 | 第59-60页 |
| 2．2．2．2 噪声 | 第60-62页 |
| 2．2．2．3 探测率 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第三章 纳米陶瓷/聚偏氟乙烯-三氟乙烯热释电单元传感器研究 | 第66-76页 |
| 2．3．1 聚偏氟乙烯-三氟乙烯的性能特点 | 第66-68页 |
| 2．3．2 纳米陶瓷的制备 | 第68页 |
| 2．3．3 PT/P（VDF-TrFE）复合敏感膜的制备 | 第68-69页 |
| 2．3．4 PT/P（VDF-TrFE）复合敏感膜热释电性能 | 第69-70页 |
| 2．3．5 PT/P（VDF-TrFE）热释电单元传感器 | 第70-74页 |
| 2．3．5．1 PT/P（VDF-TrFE）/PET塑料衬底热释电传感器 | 第71-72页 |
| 2．3．5．2 PT/P（VDF-TrFE）多孔SiO_2衬底热释电传感器 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第四章 热释电探测器的性能模拟 | 第76-90页 |
| 2．4．1 一维热扩散模型 | 第76-79页 |
| 2．4．2 热释电传感器的电流、电压响应 | 第79-81页 |
| 2．4．3 电流、电压响应模拟结果 | 第81-86页 |
| 2．4．3．1 敏感膜厚度对电流、电压响应的影响 | 第81-83页 |
| 2．4．3．2 绝热层厚度对电流、电压响应的影响 | 第83-84页 |
| 2．4．3．3 不同衬底PCLT/P（VDF-TrFE）单元传感器的电压响应 | 第84-86页 |
| 2．4．4 热释电传感器的噪声 | 第86-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第五章 氧化钒红外探测器研究 | 第90-99页 |
| 2．5．1 氧化钒红外成像原理 | 第90-91页 |
| 2．5．2 氧化钒红外成像对器件结构和性能的要求 | 第91-93页 |
| 2．5．3 IBED氧化钒红外单元探测器 | 第93-97页 |
| 2．5．3．1 悬空结构氧化钒红外单元探测器的制备 | 第93-94页 |
| 2．5．3．2 悬空结构氧化钒红外单元探测器的电压响应和噪声电压 | 第94-97页 |
| 2．5．4 氧化钒红外线性阵列 | 第97页 |
| 2．5．5 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-99页 |
| 第六章 三维集成PCLT/P（VDF-TrFE）256元UFPA研究 | 第99-110页 |
| 2．6．1 256元面阵的结构 | 第99-102页 |
| 2．6．1．1 结构特点 | 第100-101页 |
| 2．6．1．2 工艺和设计特点 | 第101-102页 |
| 2．6．2 256元面阵的读出电路 | 第102-106页 |
| 2．6．2．1 256元面阵的读出电路逻辑图 | 第102-103页 |
| 2．6．2．2 阻抗转换 | 第103页 |
| 2．6．2．3 隔离和选通 | 第103-104页 |
| 2．6．2．4 热敏信号的读出 | 第104页 |
| 2．6．2．5 热敏信号的检测 | 第104-106页 |
| 2．6．3 三维集成PCLT/P（VDF-TrFE）256元UFPA的性能 | 第106-109页 |
| 2．6．3．1 绝对黑体测试原理 | 第106-107页 |
| 2．6．3．2 电压响应、噪声和探测率的测试结果 | 第107-109页 |
| 2．6．4 本章小结 | 第109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第七章 总结 | 第110-111页 |
