| 第一章 前言 | 第1-15页 |
| §1．1 3C-SiC的特性 | 第8-9页 |
| §1．2 制备3C-SiC单晶薄膜的方法 | 第9-12页 |
| §1．3 碳化硅的主要应用 | 第12-15页 |
| 第二章 生长设备 | 第15-21页 |
| §2．1 实验装置 | 第16-18页 |
| §2．2 加热原理 | 第18-20页 |
| §2．3 控温原理 | 第20-21页 |
| 第三章 3C-SiC薄膜生长工艺 | 第21-26页 |
| §3．1 衬底准备 | 第21-22页 |
| §3．2 碳化工艺 | 第22-23页 |
| §3．3 生长工艺 | 第23-26页 |
| 第四章 样品的成分与结构分析 | 第26-48页 |
| §4．1 XRD分析 | 第26-34页 |
| §4．2 SEM分析 | 第34-41页 |
| §4．3 TED分析 | 第41-48页 |
| 第五章 碳化硅薄膜的生长机理及工艺优化 | 第48-53页 |
| §5．1 生长机理 | 第48-51页 |
| §5．2 工艺优化 | 第51-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-55页 |
| §6．1 结论 | 第53-54页 |
| §6．2 对今后工作的一些设想 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 附录 | 第59页 |