| 致谢 | 第1-6页 |
| 发表论文及专利申请 | 第6-8页 |
| 中文摘要 | 第8-10页 |
| 英文摘要 | 第10-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-33页 |
| §1．1 SOI技术综述 | 第15-23页 |
| §1．1．1 SOI技术的发展过程 | 第15-17页 |
| §1．1．2 SOI相对于体硅的优越性 | 第17-21页 |
| §1．1．3 SOI材料制备技术 | 第21-23页 |
| §1．2 SIGE技术综述 | 第23-29页 |
| §1．2．1 SIGE材料与器件的发展简况 | 第24-25页 |
| §1．2．2 SIGE材料特性 | 第25-27页 |
| §1．2．3 SIGE／SI系统的能带结构 | 第27-28页 |
| §1．2．4 SIGE的应用 | 第28-29页 |
| §1．3 SOI技术与SIGE技术的结合——SIGE-OI | 第29-30页 |
| §1．4 论文提要 | 第30-31页 |
| 本章参考文献 | 第31-33页 |
| 第二章 SIGE／SI异质材料的制备 | 第33-50页 |
| §2．1 引言 | 第33页 |
| §2．2 SIGE技术发展的新需求 | 第33-34页 |
| §2．3 SIGE材料制备 | 第34-37页 |
| §2．3．1 固态源分子束外延（SSMBE） | 第34-36页 |
| §2．3．2 气—固态源分子束外延（GSMBE） | 第36页 |
| §2．3．3 超高真空化学气相淀积（UHVCVD） | 第36-37页 |
| §2．4 SIGE材料的表征 | 第37-47页 |
| §2．4．1 多晶衍射 | 第37-41页 |
| §2．4．2 表面形貌 | 第41-43页 |
| §2．4．3 RUTHERFORD背散射／沟道技术 | 第43-44页 |
| §2．4．4 结构分析 | 第44-46页 |
| §2．4．5 RAMAN谱表征 | 第46-47页 |
| §2．5 本章小结 | 第47-48页 |
| 本章参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 SIMOX工艺制备SIGE-OI新材料的研究 | 第50-66页 |
| §3．1 制备SIGE-OI的SIMOX工艺 | 第50-51页 |
| §3．2 SIGE-SIMOX与SICE／SI-SIMOX的比较 | 第51-52页 |
| §3．3 实验条件 | 第52-53页 |
| §3．4 SiGe样品的氧离子注入分析 | 第53-57页 |
| §3．4．1 注入能量的选 | 第53页 |
| §3．4．2 注入时衬底温度的选择 | 第53-54页 |
| §3．4．3 注入剂量的选择 | 第54页 |
| §3．4．4 注入样品的分析 | 第54-57页 |
| §3．5 退火处理 | 第57-63页 |
| §3．6 本章小结 | 第63-64页 |
| 本章参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 SIGE注氢剥离技术初探 | 第66-76页 |
| §4．1 引言 | 第66页 |
| §4．2 SMART-CUT制备SIGE-OI的工艺流程 | 第66-68页 |
| §4．3 注氢实现SIGE层剥离的可行性研究 | 第68-70页 |
| §4．4 键合工艺可行性的讨论 | 第70-71页 |
| §4．5 SMART-CUT工艺制备应变SI／SIGE-OI结构的初步研究 | 第71-72页 |
| §4．6 各种SIGE-OI材料制备工艺的比较 | 第72-73页 |
| §4．7 本章小结 | 第73-74页 |
| 本章参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 SIGE／SI注氢行为分析 | 第76-92页 |
| §5．1 引言 | 第76页 |
| §5．2 常规束式离子注入与等离子浸没式离子注入（PIII）新技术 | 第76-78页 |
| §5．3 实验条件 | 第78-79页 |
| §5．4 氢离子注入SIGE样品的应变分析 | 第79-82页 |
| §5．5 氢离子注入SIGE样品的结构分析 | 第82-87页 |
| §5．6 氢离子注入SIGE样品的氢分布分析 | 第87-90页 |
| §5．7 本章小结 | 第90-91页 |
| 本章参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 总结 | 第92-94页 |
| 简历 | 第94页 |
