| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·OLED 显示技术 | 第11-16页 |
| ·OLED 显示技术的发展与优势 | 第11-12页 |
| ·OLED 器件的结构与发光机理 | 第12-13页 |
| ·柔性OLED 技术 | 第13-14页 |
| ·柔性OLED 器件寿命及其封装工艺 | 第14-16页 |
| ·溅射沉积技术 | 第16-18页 |
| ·溅射原理 | 第16页 |
| ·直流溅射(DC sputtering) | 第16-17页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第17页 |
| ·反应性溅射(reactive sputtering) | 第17-18页 |
| ·脉冲磁控溅射(pulse Magnetron sputtering) | 第18页 |
| ·SiN_x 薄膜及其制备方法 | 第18-21页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第19-20页 |
| ·硅的氮化法 | 第20页 |
| ·物理气相沉积(PVD)法 | 第20-21页 |
| ·气体渗透原理 | 第21-22页 |
| ·本课题的提出及研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 薄膜的制备及其表征方法 | 第23-31页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·直流脉冲磁控溅射系统简介 | 第23-26页 |
| ·气体供应与真空装置 | 第25页 |
| ·脉冲磁控溅射反应系统 | 第25-26页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第26-27页 |
| ·衬底的清洗 | 第26页 |
| ·薄膜的制备 | 第26-27页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第27-30页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析 | 第27页 |
| ·薄膜的气体渗透率测量 | 第27-28页 |
| ·薄膜厚度表征 | 第28-29页 |
| ·薄膜应力表征 | 第29页 |
| ·薄膜透光性能表征 | 第29-30页 |
| ·薄膜疏水性表征 | 第30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 反应压强对SiN_x薄膜性能的影响 | 第31-38页 |
| ·化学结构表征 | 第31-33页 |
| ·反应压强对阻透性能的影响 | 第33-34页 |
| ·反应压强对透光率的影响 | 第34-35页 |
| ·反应压强对疏水性能的影响 | 第35-36页 |
| ·反应压强对残余应力的影响 | 第36-37页 |
| 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 气体流量配比对SiN_x薄膜性能的影响 | 第38-45页 |
| ·化学结构表征 | 第38-40页 |
| ·流量配比对阻透性能的影响 | 第40-41页 |
| ·流量配比对透光率的影响 | 第41-42页 |
| ·流量配比对疏水性能的影响 | 第42-43页 |
| ·流量配比对残余应力的影响 | 第43-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 厚度对SiN_x薄膜性能的影响 | 第45-53页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第45-46页 |
| ·薄膜化学结构表征 | 第46-48页 |
| ·薄膜厚度对阻透性能的影响 | 第48-49页 |
| ·薄膜厚度对透光率的影响 | 第49-50页 |
| ·薄膜厚度对疏水性能的影响 | 第50-51页 |
| ·薄膜厚度对残余应力的影响 | 第51-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 SiN_xO_y薄膜的制备与性能分析 | 第53-59页 |
| ·薄膜的化学结构表征 | 第53-54页 |
| ·薄膜阻透性能分析 | 第54-55页 |
| ·薄膜透光率分析 | 第55-56页 |
| ·薄膜疏水性能分析 | 第56-57页 |
| ·薄膜的残余应力分析 | 第57-58页 |
| 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
