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金刚石薄膜制备及其在改善电力电子器件热特性方面的研究

1 引言第1-37页
 1.1 金刚石的结构和主要性质第9-19页
  1.1.1 碳的结晶形式第10-13页
  1.1.2 金刚石的形成条件第13-14页
  1.1.3 金刚石的主要性质第14-19页
 1.2 碳薄膜第19-22页
  1.2.1 非晶碳膜第20-21页
  1.2.2 类金刚石膜(DLC)第21-22页
 1.3 CVD方法制备金刚石薄膜材料研究现状第22-32页
  1.3.1 制备金刚石薄膜的研究概况第22-23页
  1.3.2 气相沉积金刚石薄膜的方法简介第23-32页
 1.4 金刚石薄膜应用研究现状及本文主要内容第32-37页
  1.4.1 应用研究现状第32-35页
  1.4.2 本文研究内容第35-37页
2 金刚石薄膜沉积系统及样品制备第37-45页
 2.1 金刚石薄膜的沉积系统第37-41页
  2.1.1 实验装置第37-40页
  2.1.2 工作气体的选择第40-41页
 2.2 金刚石薄膜制备工艺的设计第41-45页
  2.2.1 衬底表面的预处理第41-42页
  2.2.2 金刚石的成核工艺设计第42页
  2.2.3 金刚石薄膜的生长工艺设计第42-45页
3 金刚石薄膜生长机理分析第45-65页
 3.1 异质衬底上的金刚石成核机理分析第45-54页
  3.1.1 衬底负偏压的成核作用分析第46-54页
 3.2 金刚石薄膜生长机理分析第54-65页
  3.2.1 低压下气相生长金刚石薄膜的理论模型第54-59页
  3.2.2 基本的化学反应第59-62页
  3.2.3 原子氢(H)的作用第62-65页
4 实验样品的特征分析第65-111页
 4.1 金刚石成核工艺分析第65-74页
  4.1.1 衬底温度对金刚石成核的影响第66-67页
  4.1.2 辅助偏压对金刚石成核的影响第67-70页
  4.1.3 反应室压强对金刚石成核的影响第70-72页
  4.1.4 反应气体流量比对金刚石成核的影响第72-74页
 4.2 薄膜生长工艺分析第74-88页
  4.2.1 衬底温度对金刚石薄膜质量的影响第74-80页
  4.2.2 热丝距离对金刚石薄膜质量的影响第80-83页
  4.2.3 反应气体流量比对金刚石薄膜质量的影响第83-85页
  4.2.4 辅助射频功率对金刚石薄膜质量的影响第85-87页
  4.2.5 影响金刚石薄膜质量的其它因素第87-88页
 4.3 实验样品的组份分析第88-96页
  4.3.1 俄歇电子能谱(AES)测试分析第89-93页
  4.3.2 X射线光电子能谱(XPS)测试分析第93-96页
 4.4 实验样品的结构分析第96-105页
  4.4.1 以(111)择优生长的金刚石薄膜的结构分析第97-102页
  4.4.2 以(100)择优生长的金刚石薄膜的结构分析第102-105页
 4.5 实验样品的其它特性测试第105-111页
  4.5.1 折射率测试第105-106页
  4.5.2 硬度测试第106-107页
  4.5.3 热导率测试第107-109页
  4.5.4 电阻率测试第109-111页
5 用金刚石薄膜作为电子器件的热沉第111-123页
 5.1 模型建立第111-118页
  5.1.1 计算模型第111-113页
  5.1.2 方程推导第113-115页
  5.1.3 计算机模拟计算结果分析第115-118页
 5.2 器件热性能测试对比第118-123页
  5.2.1 测试仪器与测试条件第118-119页
  5.2.2 试样制备条件第119-120页
  5.2.3 测试结果分析第120-123页
6 总结与展望第123-129页
 6.1 工作总结第123-127页
 6.2 论文创新点第127-128页
 6.3 下一步工作设想第128-129页
致谢第129-130页
参考文献第130-139页
附录第139-144页
在读期间发表的论文第144页

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