TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究
| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 第一节 微电子工业中等离子体技术的兴起 | 第10-11页 |
| 第二节 薄膜淀积技术的发展 | 第11-12页 |
| 第三节 本文的研究对象及主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 等离子体物理基础及CVD工艺 | 第14-29页 |
| 第一节 等离子增强化学气相淀积技术 | 第14-19页 |
| 第二节 SiO_2薄膜的淀积 | 第19-25页 |
| 第三节 SiON薄膜的淀积 | 第25-29页 |
| 第三章 系统设计与实验方法 | 第29-34页 |
| 第一节 实验装置系统 | 第29-30页 |
| 第二节 实验材料 | 第30-31页 |
| 第三节 实验流程 | 第31-32页 |
| 第四节 工艺条件与实验步骤 | 第32页 |
| 第五节 测试与分析 | 第32-34页 |
| 第四章 薄膜分析—P-SiO_2介质膜 | 第34-52页 |
| 第一节 P-SiO_2薄膜结构分析 | 第34页 |
| 第二节 P-SiO_2薄膜的生长特性 | 第34-39页 |
| 第三节 P-SiO_2薄膜的膜质 | 第39-48页 |
| 第四节 P-SiO_2薄膜的附着性 | 第48-52页 |
| 第五章 薄膜分析—P-SiON硬质膜 | 第52-73页 |
| 第一节 P-SiON薄膜结构分析 | 第52页 |
| 第二节 P-SiON薄膜的生长特性 | 第52-60页 |
| 第三节 P-SiON薄膜的膜质 | 第60-69页 |
| 第四节 P-SiON薄膜的附着性 | 第69-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-76页 |
| 第一节 P-SiO_2薄膜结论 | 第73-74页 |
| 第二节 P-SiON薄膜结论 | 第74-76页 |
| 第七章 结束语 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
