| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要(ABSTRACT) | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·栅介材料的发展 | 第9-10页 |
| ·SiO_2作为栅介材料的极限问题 | 第10-12页 |
| ·新一代高K栅介材料 | 第12-13页 |
| ·高K材料出现的问题 | 第13-14页 |
| ·La_2O_3栅介材料 | 第14页 |
| ·超薄栅介材料的变角XPS定量分析 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作和意义 | 第15-17页 |
| 2 变角XPS定量计算超薄层厚度 | 第17-34页 |
| ·XPS分析技术 | 第17-19页 |
| ·变角XPS(ARXPS)定量分析的理论基础 | 第19-21页 |
| ·变角XPS简介 | 第19页 |
| ·ARXPS实验假定 | 第19-20页 |
| ·归一化XPS峰的强度 | 第20页 |
| ·XPS测量数据分析 | 第20-21页 |
| ·ARXPS定量计算层厚度模型 | 第21-22页 |
| ·XPS计算覆盖层的厚度(Over-layer on substrate) | 第22-26页 |
| ·算法的实现 | 第22-24页 |
| ·计算程序的编制以及计算结果 | 第24-26页 |
| ·XPS计算多层结构模型的深度分析(Layer thickness of multi-layers) | 第26-32页 |
| ·算法实现 | 第27-29页 |
| ·ARXPS计算多层厚度的软件的设计 | 第29-32页 |
| ·La_2O_3/SiO_2/Si结构薄膜厚度的测量 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 3 La_2O_3栅介材料的制备、热退火处理及变角XPS定量分析 | 第34-50页 |
| ·La_2O_3薄膜的制膜 | 第34-38页 |
| ·Si片的化学清洗 | 第34-36页 |
| ·La_2O_3镀膜工艺 | 第36-38页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第38-42页 |
| ·薄膜在氧气中退火的XPS分析 | 第42-44页 |
| ·薄膜在N_2中退火的XPS分析 | 第44-46页 |
| ·薄膜先N_2中后O_2中退火的XPS分析 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 4 La_2O_3/SiO_2栅介质结构的隧道电流的计算 | 第50-62页 |
| ·计算隧穿电流的能带图模型 | 第50-53页 |
| ·隧穿电流的计算 | 第53-57页 |
| ·隧穿电流密度 | 第53-55页 |
| ·衬底的量子化的影响 | 第55-56页 |
| ·多晶硅积累层的影响 | 第56页 |
| ·平带电压与费米能级的位置 | 第56-57页 |
| ·V_(ox)与V_(La)之间的关系 | 第57页 |
| ·计算结果 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 5 结束语 | 第62-64页 |
| ·本文的主要工作 | 第62页 |
| ·本文的主要创新点 | 第62-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
