| 致谢 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 中文摘要 | 第9-11页 |
| 第一章 氮化镓文献综述 | 第11-37页 |
| 1．1 GaN的兴起 | 第12-16页 |
| 1．2 GaN基材料的特性 | 第16-24页 |
| 1．3 GaN基材料的主要生长技术 | 第24-28页 |
| 1．4 GaN的器件应用 | 第28-33页 |
| 1．5 本论文工作重点 | 第33-37页 |
| 第二章 RF-plasma MBE系统、GaN生长及其特性表征 | 第37-59页 |
| 2．1 RE-plasma MBE生长系统 | 第38-40页 |
| 2．2 GaN特性表征手段简介 | 第40-46页 |
| 2．3 GaN生长的一般流程 | 第46-50页 |
| 2．4 GaN的掺杂 | 第50-55页 |
| 2．5 AlGaN的生长 | 第55-59页 |
| 第三章 白宝石衬底的预处理研究 | 第59-71页 |
| 3．1 白宝石衬底的特点 | 第60-62页 |
| 3．2 白宝石衬底的常用预处理方法 | 第62-66页 |
| 3．3 Ga原子清洗工艺的建立 | 第66-71页 |
| 第四章 缓冲层与二维生长的研究 | 第71-87页 |
| 4．1 晶格失配与热失配 | 第72-73页 |
| 4．2 缓冲层的生长研究 | 第73-76页 |
| 4．3 单缓冲层与二维生长 | 第76-80页 |
| 4．4 双缓冲层工艺的建立 | 第80-84页 |
| 4．5 外延层的二维生长 | 第84-87页 |
| 第五章 GaN的极性研究 | 第87-100页 |
| 5．1 w-GaN的两种极性 | 第88-90页 |
| 5．2 极性GaN的特点 | 第90-92页 |
| 5．3 极性GaN的湿法刻蚀 | 第92-94页 |
| 5．4 缓冲层对GaN极性的影响 | 第94-100页 |
| 第六章 GaN的刻蚀研究 | 第100-113页 |
| 6．1 GaN刻蚀方法概述 | 第101-106页 |
| 6．2 光辅助的湿法刻蚀 | 第106-108页 |
| 6．3 工艺条件与刻蚀效果比较 | 第108-109页 |
| 6．4 位错密度的估算 | 第109-113页 |
| 第七章 GaN的欧姆接触 | 第113-123页 |
| 7．1 GaN欧姆接触研究进展 | 第114-116页 |
| 7．2 n-GaN的Ti/Al工艺建立 | 第116-119页 |
| 7．3 传输线测量 | 第119-123页 |
| 第八章 总结与展望 | 第123-127页 |
| 8．1 主要结果 | 第124-126页 |
| 8．2 存在问题及建议 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-138页 |
| 发表文章目录 | 第138-140页 |
| 个人简历 | 第140页 |