| 第一章 引言 | 第1-8页 |
| §1．1 薄膜技术简介 | 第6-7页 |
| §1．2 LPD方法制备氧化硅薄膜的特点及我们的目标 | 第7页 |
| §1．3 国内外的研究现状 | 第7-8页 |
| 第二章 LPD方法制备氧化硅薄膜的生长理论 | 第8-15页 |
| §2．1 化学液相沉积氧化硅薄膜的工艺 | 第8-10页 |
| §2．2 生长理论讨论 | 第10-15页 |
| 第三章 LPD方法制备氧化硅薄膜的表征 | 第15-21页 |
| §3．1 扫描电镜形貌分析 | 第15页 |
| §3．2 薄膜成份及原子百分比测试 | 第15-17页 |
| §3．3 薄膜成份及厚度测试 | 第17-19页 |
| §3．4 薄膜的成键表征 | 第19-20页 |
| §3．5 薄膜的厚度与折射率的测定 | 第20-21页 |
| 第四章 MIS器件制作及测试 | 第21-31页 |
| §4．1 光刻 | 第21-22页 |
| §4．2 真空蒸镀及合金制作接触电极 | 第22-23页 |
| §4．3 耐压测试 | 第23-28页 |
| §4．4 MIS结构电容 | 第28-31页 |
| 第五章 氧化硅掩膜版 | 第31-36页 |
| §5．1 微探尖在扫描近场光学显微术方面的应用 | 第31-36页 |
| 第六章 结论及展望 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |