| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·薄膜材料研究现状及发展前景 | 第7-8页 |
| ·气敏技术现状和发展趋势 | 第8-10页 |
| ·国外气敏技术现状和发展趋势 | 第8-9页 |
| ·国内气敏技术现状 | 第9页 |
| ·TiO_2基氧化物半导体氧敏传感器的研究开发进展 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 薄膜的生长过程及结构 | 第12-24页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第12-13页 |
| ·成核理论 | 第13-20页 |
| ·自发形核 | 第14-16页 |
| ·非自发形核 | 第16-20页 |
| ·溅射薄膜的生长习性 | 第20-21页 |
| ·薄膜的结构与缺陷 | 第21-24页 |
| ·薄膜的结构 | 第21-22页 |
| ·薄膜的缺陷 | 第22-24页 |
| 第三章 TiO_2氧敏特性 | 第24-32页 |
| ·TiO_2氧敏机理 | 第24-25页 |
| ·金属氧化物点缺陷理论 | 第25-32页 |
| ·金属氧化物的点缺陷及其K-V符号 | 第26-27页 |
| ·质量作用定律与点缺陷理论 | 第27-32页 |
| 第四章 反应磁控溅射技术 | 第32-36页 |
| ·磁控溅射 | 第32-34页 |
| ·反应溅射 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射技术特点 | 第35-36页 |
| 第五章 TiO_2薄膜的制备 | 第36-42页 |
| ·薄膜制备 | 第36-39页 |
| ·仪器描述 | 第36-38页 |
| ·基片的净化 | 第38页 |
| ·基片温度的选择 | 第38页 |
| ·溅射TiO_2薄膜 | 第38-39页 |
| ·薄膜处理及分析 | 第39-42页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第39页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第39-42页 |
| 第六章 TiO_2氧敏器件特性分析 | 第42-47页 |
| ·测试装置 | 第42-43页 |
| ·氧敏器件测试 | 第43-47页 |
| 第七章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第51页 |