| 致谢 | 第1-3页 |
| 发表论文目录 | 第3-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 文献综述 | 第14-32页 |
| §1．1 SOI技术新技术与新结构 | 第14-21页 |
| §1．1．1 SOI主流技术 | 第14-15页 |
| §1．1．2 SOI新技术 | 第15-17页 |
| §1．1．3 SOI新结构 | 第17-19页 |
| §1．1．4 SOI新应用 | 第19-21页 |
| §1．2 多孔硅及其在SOI与光电器件中的应用 | 第21-26页 |
| §1．2．1 多孔硅的制备和结构 | 第21-22页 |
| §1．2．2 多孔硅在SOI中的应用 | 第22-23页 |
| §1．2．3 多孔硅在光电器件中的应用 | 第23-26页 |
| §1．3 本论文工作 | 第26-28页 |
| §1．4 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 多孔硅微结构及其形成机理 | 第32-52页 |
| §2．1 引言 | 第32页 |
| §2．2 实验方法 | 第32-33页 |
| §2．3 P型多孔硅的微结构和单晶性能研究 | 第33-39页 |
| §2．4 N型多孔硅的微结构和单晶性能研究 | 第39-43页 |
| §2．5 多孔硅的形成机理 | 第43-47页 |
| §2．6 多孔硅的表面状况 | 第47-50页 |
| §2．7 小结 | 第50页 |
| §2．8 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 多孔硅衬底上外延单晶硅 | 第52-67页 |
| §3．1 引言 | 第52页 |
| §3．2 常规CVD方法在多孔硅上外延单晶硅 | 第52-54页 |
| §3．2．1 实验方法 | 第52-53页 |
| §3．2．2 外延结果 | 第53-54页 |
| §3．3 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅 | 第54-64页 |
| §3．3．1 超高真空电子束蒸发仪的设备及工作原理 | 第54-55页 |
| §3．3．2 实验方法 | 第55页 |
| §3．3．3 多孔硅结构对外延薄膜质量的影响 | 第55-59页 |
| §3．3．4 预氧化对外延薄膜质量的影响 | 第59-60页 |
| §3．3．5 生长温度对外延薄膜质量的影响 | 第60-62页 |
| §3．3．6 多孔硅上外延硅的机理分析 | 第62-64页 |
| §3．4 小结 | 第64-65页 |
| §3．5 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 多孔硅外延层转移制备SOI材料 | 第67-76页 |
| §4．1 多孔硅外延层转移制备SOI的方法简介 | 第67-68页 |
| §4．2 键合和剥离 | 第68-69页 |
| §4．3 多孔硅在HF/H_2O_2溶液中的腐蚀行为 | 第69-72页 |
| §4．4 SOI材料性能表征 | 第72-74页 |
| §4．5 小结 | 第74-75页 |
| §4．6 参考文献 | 第75-76页 |
| 第五章 注碳多孔硅发光性能研究 | 第76-86页 |
| §5．1 引言 | 第76-77页 |
| §5．2 实验方法 | 第77页 |
| §5．3 荧光光谱 | 第77-79页 |
| §5．4 注碳多孔硅的结构和成分分析 | 第79-83页 |
| §5．5 讨论 | 第83-84页 |
| §5．6 小结 | 第84页 |
| §5．7 参考文献 | 第84-86页 |
| 第六章 等离子体浸没式注入形成的埋层多孔结构及其发光性能研究 | 第86-110页 |
| §6．1 引言 | 第86-87页 |
| §6．2 注氢埋层多孔硅的发光性能研究 | 第87-99页 |
| §6．2．1 实验方法 | 第87页 |
| §6．2．2 注氢埋层多孔硅的光致发光性能 | 第87-89页 |
| §6．2．3 注氢埋层多孔硅的电致发光性能 | 第89-90页 |
| §6．2．4 等离子体浸没式氢离子注入在硅中的行为研究 | 第90-96页 |
| §6．2．5 注氢埋层多孔硅的发光机理讨论 | 第96-99页 |
| §6．3 氢碳共注硅的结构及发光性能研究 | 第99-108页 |
| §6．3．1 实验方法 | 第100页 |
| §6．3．2 结构和成分的分析 | 第100-103页 |
| §6．3．3 光致发光性能的分析 | 第103-104页 |
| §6．3．4 讨论 | 第104-108页 |
| §6．4 小结 | 第108页 |
| §6．5 参考文献 | 第108-110页 |
| 第七章 脉冲激光沉积在多孔硅上制备Ba_xSr_（1-x）TiO_3薄膜 | 第110-122页 |
| §7．1 引言 | 第110页 |
| §7．2 实验方法 | 第110-111页 |
| §7．3 结果与分析 | 第111-118页 |
| §7．3．1 BST的晶体结构 | 第111-112页 |
| §7．3．2 表面形貌和结构 | 第112-115页 |
| §7．3．3 薄膜微结构 | 第115-118页 |
| §7．4 讨论 | 第118-120页 |
| §7．5 小结 | 第120页 |
| §7．6 参考文献 | 第120-122页 |
| 第八章 总结 | 第122-125页 |
| 简历 | 第125页 |
