| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-20页 |
| §1．1 金刚石的结构 | 第7-11页 |
| §1．2 人工合成金刚石的发展 | 第11-13页 |
| §1．3 金刚石的形核机理 | 第13-14页 |
| §1．4 金刚石的应用 | 第14-16页 |
| §1．5 C_（60）和C_（70）的性质 | 第16-18页 |
| §1．6 金刚石膜半导体的掺杂 | 第18-20页 |
| 第二章 成膜工艺及实验过程 | 第20-24页 |
| §2．1 实验仪器 | 第20-21页 |
| §2．2 衬底片的清洗 | 第21页 |
| §2．3 C_（60）的蒸镀过程 | 第21-22页 |
| §2．4 金刚石薄膜的沉积 | 第22-23页 |
| §2．5 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 金刚石膜的形核分析及研究 | 第24-40页 |
| §3．1 在SI衬底上的形核 | 第24-25页 |
| §3．2 在NI衬底上的形核 | 第25-31页 |
| §3．3 在铜衬底上的形核 | 第31-39页 |
| §3．4 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 B离子注入的金刚石膜与N型SI衬底的P-N结半导体器件的研究 | 第40-49页 |
| §4．1 金刚石膜的P-N结半导体器件研究概况 | 第40页 |
| §4．2 B注入的金刚石薄膜与N-型SI衬底的P-N异质结器件的制备 | 第40-45页 |
| §4．3 B注入的金刚石膜与N型SI衬底的P-N异质结效应的研究与测试 | 第45-48页 |
| §4．4 小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参号文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
