| 第一章 引言 | 第1-14页 |
| 第一节 GaN系半导体材料的应用前景 | 第6-7页 |
| 第二节 GaN材料的基本性质和生长技术 | 第7-11页 |
| 第三节 GaN生长中等离子体的作用与特性研究 | 第11-12页 |
| 第四节 本论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 Langmuir探针测量系统 | 第14-33页 |
| 第一节 静电探针测量原理 | 第14-17页 |
| 第二节 数据采集技术概述 | 第17-18页 |
| 第三节 Langmiur探针数据采集硬件实现方法 | 第18-25页 |
| 第四节 系统软件设计 | 第25-33页 |
| 第三章 Langmuir探针数据采集处理与讨论 | 第33-44页 |
| 第一节 Langmuir探针的数据采集 | 第33-36页 |
| 第二节 实验数据处理 | 第36-41页 |
| 第三节 实验结果分析与讨论 | 第41-44页 |
| 第四章 等离子体发射光谱测量系统 | 第44-54页 |
| 第一节 等离子体发射光谱测量原理 | 第44-48页 |
| 第二节 等离子体发射光谱测量系统的组成 | 第48-50页 |
| 第三节 光谱测量系统中的上位机控制软件设计 | 第50-54页 |
| 第五章 GaN生长过程中的等离子体发射光谱测量 | 第54-63页 |
| 第一节 氢等离子体发射光谱测量 | 第54-56页 |
| 第二节 氮等离子体发射光谱测量 | 第56-60页 |
| 第三节 氮中掺氢放电对等离子体发射光谱的影响 | 第60-62页 |
| 第四节 发射光谱测量结果分析与讨论 | 第62-63页 |
| 第六章 GaN外延层生长实验与讨论 | 第63-69页 |
| 第一节 C—GaN/（001）GaAs外延层生长实验 | 第63-66页 |
| 第二节 结果与讨论 | 第66-69页 |
| 结束语 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72-76页 |