| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 主要符号表 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| §1．1 SiC概论 | 第9-18页 |
| 1．1．1 SiC的晶体结构 | 第9-13页 |
| 1．1．2 SiC的电学特性 | 第13-14页 |
| 1．1．3 SiC研发过程简述 | 第14-18页 |
| §1．2 SiC晶体生长技术综述 | 第18-23页 |
| 1．2．1 高温升华法 | 第18-21页 |
| 1．2．2 液相外延法 | 第21-22页 |
| 1．2．3 化学气相淀积 | 第22-23页 |
| §1．3 β-SiC及其晶体生长 | 第23-27页 |
| 1．3．1 β-SiC薄膜生长 | 第23-25页 |
| 1．3．2 β-SiC晶体生长 | 第25-27页 |
| §1．4 本文主要内容 | 第27-28页 |
| 第二章 SiC晶体生长设备及生长工艺 | 第28-34页 |
| §2．1 生长设备主要构造及功能 | 第28-29页 |
| §2．2 温度控制仪参数整定 | 第29-31页 |
| §2．3 升降温速率曲线的设定 | 第31-32页 |
| §2．4 液相外延生长工艺 | 第32-33页 |
| 2．4．1 实验前准备 | 第32页 |
| 2．4．2 真空准备 | 第32页 |
| 2．4．3 温度控制与实验过程 | 第32-33页 |
| §2．5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 热系统设计与分析 | 第34-42页 |
| §3．1 热量传递原理 | 第34-35页 |
| 3．1．1 热传导 | 第34页 |
| 3．1．2 热对流 | 第34-35页 |
| 3．1．3 热辐射 | 第35页 |
| §3．2 长直空心圆柱体径向组合传热 | 第35-39页 |
| 3．2．1 径向传热模型 | 第35-36页 |
| 3．2．2 绝热层的厚度 | 第36-39页 |
| §3．3 具有稳定表面输入功率的圆柱体内的温度分布 | 第39-41页 |
| §3．4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 感应加热电磁场模拟与分析 | 第42-62页 |
| §4．1 感应加热 | 第42-45页 |
| 4．1．1 感应加热基本方程 | 第42-44页 |
| 4．1．2 电磁场的“集肤效应” | 第44-45页 |
| §4．2 感应加热数值模拟分析 | 第45-47页 |
| 4．2．1 有限元分析模型 | 第46-47页 |
| 4．2．2 分析方法 | 第47页 |
| §4．3 感应加热数值模拟结果 | 第47-61页 |
| 4．3．1 线圈匝数对感应磁场的影响 | 第47-50页 |
| 4．3．2 电流强度对感应磁场的影响 | 第50-51页 |
| 4．3．3 电流频率对感应磁场的影响 | 第51-53页 |
| 4．3．4 石墨毡的电导对磁场分布的影响 | 第53-54页 |
| 4．3．5 电流频率的确定 | 第54-60页 |
| 4．3．6 带状线圈感应磁场的分布 | 第60-61页 |
| §4．4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 轴对称感应加热系统的热场模拟与分析 | 第62-84页 |
| §5．1 热分析类型 | 第62-63页 |
| 5．1．1 稳态传热 | 第62-63页 |
| 5．1．2 瞬态传热 | 第63页 |
| 5．1．3 非线性热分析 | 第63页 |
| §5．2 热分析策略与有限元热模型 | 第63-66页 |
| 5．2．1 热辐射分析策略 | 第63-64页 |
| 5．2．2 辐射形状系数的计算 | 第64页 |
| 5．2．3 材料热特性 | 第64-65页 |
| 5．2．4 有限元热分析模型 | 第65-66页 |
| §5．3 热场分布 | 第66-82页 |
| 5．3．1 坩埚组件温度场分布 | 第66-72页 |
| 5．3．2 坩埚顶部盲孔对热场分布的影响 | 第72-76页 |
| 5．3．3 线圈与坩埚的相对位置对热场分布的影响 | 第76-79页 |
| 5．3．4 坩埚材料的热导率随温度的变化对热场分布的影响 | 第79-82页 |
| §5．4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第六章 β-SiC晶体的液相外延生长 | 第84-95页 |
| §6．1 坩埚组件 | 第84-85页 |
| §6．2 实验方法 | 第85页 |
| §6．3 实验参数考虑 | 第85-87页 |
| 6．3．1 固-液界面与温度梯度 | 第85-86页 |
| 6．3．2 SiC液相外延工艺温度时序 | 第86-87页 |
| §6．4 β-SiC晶体液相生长中的几个特殊问题 | 第87-93页 |
| 6．4．1 石墨坩埚破裂问题 | 第87-88页 |
| 6．4．2 碳饱和硅熔体的稳定形成问题 | 第88页 |
| 6．4．3 碳饱和硅熔体中碳的浓度过低问题 | 第88-90页 |
| 6．4．4 温度梯度的构造 | 第90页 |
| 6．4．5 晶型的选择生长与异晶型的抑制问题 | 第90-92页 |
| 6．4．6 用硅衬底上的β-SiC薄膜液相生长β-SiC | 第92-93页 |
| §6．5 本章小结 | 第93-95页 |
| 第七章 实验样品的性能分析 | 第95-110页 |
| §7．1 实验样品的制备 | 第95-96页 |
| 7．1．1 无籽晶自发生长样品制备 | 第95-96页 |
| 7．1．2 利用β-SiC薄膜的液相外延生长 | 第96页 |
| §7．2 实验样品的结构分析 | 第96-106页 |
| 7．2．1 XRD分析 | 第97-99页 |
| 7．2．2 XPS分析 | 第99-101页 |
| 7．2．3 Raman分析 | 第101-105页 |
| 7．2．4 结论 | 第105-106页 |
| §7．3 用碳饱和硅熔体中生长的p碳化硅样品的光致发光 | 第106-107页 |
| §7．4 本章小结 | 第107-110页 |
| 第八章 回顾与前瞻 | 第110-117页 |
| §8．1 工作总结 | 第110-114页 |
| §8．2 主要创新点 | 第114-116页 |
| §8．3 对今后工作的设想与建议 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-129页 |
| 学习期间发表的相关论文 | 第129-130页 |
