| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第1章 综述 | 第7-16页 |
| ·金刚石薄膜的结构、性质和用途 | 第7-11页 |
| ·金刚石膜的低压制备方法 | 第11-15页 |
| ·热丝CVD法(HFCVD) | 第11-12页 |
| ·直流等离子体喷射CVD法 | 第12页 |
| ·射频等离子化学气相沉积法(RFCVD) | 第12-13页 |
| ·燃烧火焰CVD法(Combustion Flame CVD) | 第13页 |
| ·电子回旋共振CVD法(ECR-CVD) | 第13页 |
| ·微波等离子体CVD法(MW-PCVD) | 第13-15页 |
| ·研究目的、内容与意义 | 第15-16页 |
| 第2章 低压化学气相沉积金刚石膜原理及模型 | 第16-25页 |
| ·低压化学气相沉积金刚石的条件 | 第16-17页 |
| ·低压化学气相沉积金刚石膜的原理 | 第17-20页 |
| ·金刚石形核 | 第19-20页 |
| ·亚稳态生长 | 第20页 |
| ·金刚石生长模型和反应机理 | 第20-25页 |
| 第3章 谐振腔式MPCVD低温制备金刚石膜工艺研究 | 第25-42页 |
| ·金刚石膜的低温研究现状 | 第25-27页 |
| ·实验方法和实验仪器 | 第27-28页 |
| ·影响基片温度的因素 | 第28-29页 |
| ·影响金刚石膜低温生长的主要因素 | 第29-41页 |
| ·衬底预处理对金刚石生长的影响 | 第30-34页 |
| ·气源系统的影响 | 第34-35页 |
| ·气压对金刚石薄膜生长的影响 | 第35-37页 |
| ·功率的影响 | 第37-39页 |
| ·基片位置的影响 | 第39-41页 |
| ·实验参数确定 | 第41-42页 |
| 第4章 结果与分析 | 第42-48页 |
| ·金刚石膜的表征方法 | 第42-45页 |
| ·金刚石膜的XRD分析 | 第43-44页 |
| ·金刚石膜的SEM分析 | 第44-45页 |
| ·金刚石膜的成核与机理分析 | 第45-48页 |
| 第5章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录: 硕士期间即将发表的论文 | 第55页 |