| 引言 | 第1-7页 |
| 参考文献 | 第6-7页 |
| 第一章 SiC材料性质及工艺概述 | 第7-18页 |
| ·SiC半导体材料 | 第7-10页 |
| ·SiC材料的制备 | 第10-12页 |
| ·SiC器件相关工艺 | 第12-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 金属半导体接触原理 | 第18-34页 |
| ·金属半导体接触基本参数 | 第18-19页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第19-22页 |
| ·肖特基势垒电流疏运机理 | 第22-26页 |
| ·肖特基势垒的测试 | 第26-27页 |
| ·欧姆接触及其测试 | 第27-31页 |
| ·肖特基势垒二极管(SBD)器件结构 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 n型6H-SiC欧姆接触 | 第34-43页 |
| ·通过表面氢气处理制备Al欧姆接触 | 第34-39页 |
| ·高温退火形成Ni欧姆接触 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 n型6H-SiC肖特基势垒二极管的制备 | 第43-56页 |
| ·器件制备 | 第43-47页 |
| ·肖特基二极管特性分析 | 第47-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 总结 | 第56-58页 |
| 科研成果简介及声明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |