| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 第一节 引言 | 第8页 |
| 第二节 SiC 的历史背景、应用现况及应用前景 | 第8-12页 |
| 第三节 SiC 的基本特性 | 第12-14页 |
| 第四节 SiC 的制备方法及研究现状 | 第14-18页 |
| 第五节 SiC 薄膜的表征方法 | 第18-21页 |
| 第六节 SiC 薄膜面临的问题 | 第21页 |
| 第七节 本文研究的主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 溅射技术在制备SiC 薄膜中的应用 | 第23-30页 |
| 第一节 引言 | 第23页 |
| 第二节 溅射原理及其成膜方法 | 第23-24页 |
| 第三节 溅射技术在 SiC 薄膜制备中的应用 | 第24-29页 |
| 第四节 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 工艺参数对 SiC 纳米晶薄膜成份、结构及发光的影响 | 第30-54页 |
| 第一节 引言 | 第30页 |
| 第二节 退火温度对SiC 纳米晶薄膜的影响 | 第30-36页 |
| 第三节 衬底负偏压对SiC 纳米晶薄膜的影响 | 第36-46页 |
| 第四节 射频功率对 SiC 纳米晶薄膜的影响 | 第46-49页 |
| 第五节 工作气压对 SiC 纳米晶薄膜的影响 | 第49-52页 |
| 第六节 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 SiC 纳米晶薄膜的时间分辨谱分析 | 第54-66页 |
| 第一节 引言 | 第54页 |
| 第二节 光衰减理论 | 第54-62页 |
| 第三节 时间分辨谱测量设备介绍 | 第62-63页 |
| 第四节 SiC 纳米晶薄膜的时间分辨谱分析 | 第63-65页 |
| 第五节 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 多孔SiC 的制备及光致发光性质研究 | 第66-74页 |
| 第一节 引言 | 第66页 |
| 第二节 多孔SiC 的制备及光致发光性质研究 | 第66-73页 |
| 第三节 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第74-76页 |
| 第一节 全文总结 | 第74-75页 |
| 第二节 下一步应开展的工作与前景展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第85页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |