碳化硅晶体生长设备的研制

第一章 绪论	第1-10页
§1．1 SiC晶体材料的发展、应用及其制备方法	第8-9页
§1．2 本课题的意义	第9-10页
第二章 SiC晶体生长工艺对设备的基本要求	第10-13页
§2．1 基本要求	第10页
§2．2 设备主要技术规范	第10页
§2．3 设备主要配置与功用	第10-13页
第三章 机械、真空、供气部分的设计	第13-23页
§3．1 机械部分设计	第13页
§3．2 真空系统设计	第13-19页
§3．3 冷却系统设计	第19-21页
§3．4 供气系统设计	第21-23页
第四章 电器控制系统设计	第23-34页
§4．1 热场温度检测部分	第23-24页
§4．2 热场温度控制系统	第24-28页
§4．3 输出温度控制适配器	第28页
§4．4 IGBT超音频感应加热功率电源	第28-31页
§4．5 继电控制部分	第31-32页
§4．6 系统的综合调试	第32-34页
第五章 课题总结	第34-36页
§5．1 系统运行结果	第34-35页
§5．2 课题研发过程中遇到的问题	第35页
§5．3 对今后进一步开发的考虑	第35-36页
致谢	第36-37页
参考文献	第37-38页
附录	第38-50页