| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 一、 前言 | 第7-12页 |
| （一） 背景 | 第7-9页 |
| （二） 国外研究现状和发展趋势 | 第9-11页 |
| （三） 实验目的 | 第11-12页 |
| 二、 薄膜理论 | 第12-23页 |
| （一） 薄膜生长 | 第12-16页 |
| 1、 临界核的形成 | 第13-15页 |
| 2、 岛的长大与形成 | 第15-16页 |
| 3、 迷津结构的形成 | 第16页 |
| 4、 连续膜的形成 | 第16页 |
| （二） 热壁外延（HWE）生长法 | 第16-23页 |
| 1、 HWE的基本原理 | 第18-21页 |
| （1）、 升华 | 第18-19页 |
| （2）、 输运 | 第19-20页 |
| （3）、 淀积生长 | 第20-21页 |
| 2、 HWE生长装置 | 第21-23页 |
| 三、 生长GaAs薄膜的实验 | 第23-27页 |
| （一） 衬底的制备 | 第23-24页 |
| 1、 导电玻璃衬底的制备 | 第23-24页 |
| 2、 Si衬底制备 | 第24页 |
| （二） 源的准备 | 第24-25页 |
| （三） 热壁外延生长（本实验采用的是准闭管热壁外延） | 第25-26页 |
| （四） 样品测试 | 第26-27页 |
| 四、 实验结果分析和讨论 | 第27-45页 |
| （一） 结构测试及分析和讨论 | 第27-38页 |
| 1、 GaAs／SnO_2／Glass薄膜 | 第27-33页 |
| 2、 GaAs／Si薄膜 | 第33-38页 |
| （二） 电学性质测试分析和讨论 | 第38-41页 |
| 1、 导电类型 | 第38-39页 |
| 2、 方块电阻 | 第39-41页 |
| （三） 光学性质测试分析和讨论 | 第41-45页 |
| 1、 GaAs／SnO_2／Glass | 第41-42页 |
| 2、 GaAs／Si | 第42-45页 |
| 五、 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48页 |