| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·氮化铝材料的特性及应用概述 | 第7-8页 |
| ·AlN 的基本特性 | 第8-11页 |
| ·AlN 的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·AlN 的材料特性及其应用 | 第9-11页 |
| ·AlN 的研究进展及现状 | 第11-13页 |
| ·AlN 薄膜的生长工艺 | 第13-16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第13-14页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第14-15页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第15-16页 |
| ·AlN 薄膜研究中存在的问题 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究内容和目的 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜制备及其表征方法 | 第18-31页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第18-25页 |
| ·射频等离子体分子束外延设备 | 第19-24页 |
| ·衬底材料的选择 | 第24-25页 |
| ·薄膜质量的表征方法 | 第25-30页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第26-28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 α-Al_2O_3(0001)衬底的氮化及分析 | 第31-40页 |
| ·衬底的清洗 | 第31-32页 |
| ·高温去气对Al_2O_3表面形貌的影响 | 第32页 |
| ·化学腐蚀对衬底表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·蓝宝石衬底的初步氮化 | 第33-36页 |
| ·输出功率对氮化的影响 | 第36-38页 |
| ·X 射线光电子能谱分析 | 第37-38页 |
| ·RHEED 对样品表面的分析 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 Si(100)衬底上AlN 薄膜的生长 | 第40-49页 |
| ·薄膜生长理论 | 第40-42页 |
| ·核生长模式 | 第40-41页 |
| ·层状生长模式 | 第41页 |
| ·层核生长模式 | 第41-42页 |
| ·薄膜生长工艺 | 第42-43页 |
| ·实验结果分析 | 第43-48页 |
| ·RHEED 衍射图像分析 | 第43-45页 |
| ·X 射线光电子能谱分析 | 第45-46页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 摘要 | 第53-55页 |
| Abstract | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |