| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第11-14页 |
| ·GaN 的相态与结构 | 第11-13页 |
| ·GaN 材料的化学性质 | 第13页 |
| ·GaN 材料的电学性质 | 第13-14页 |
| ·GaN 材料的光学性质 | 第14页 |
| ·GaN 材料的制备工艺及发展 | 第14-18页 |
| ·卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第15页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第15页 |
| ·原子束外延(ALE)技术 | 第15-16页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第16页 |
| ·GaN 基材料生长面临的问题及研究进展 | 第16-18页 |
| ·制备GaN 材料的衬底 | 第18-19页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第18页 |
| ·ZnO 衬底 | 第18页 |
| ·Si 衬底 | 第18-19页 |
| ·AlN 衬底 | 第19页 |
| ·GaN 衬底 | 第19页 |
| ·SiC 衬底 | 第19页 |
| ·其它衬底 | 第19页 |
| ·GaN 薄膜的生长机理及影响因素 | 第19-21页 |
| ·GaN 中的缺陷和杂质 | 第21页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第21-23页 |
| ·GaN 基发光器件 | 第21-22页 |
| ·GaN 基探测器 | 第22页 |
| ·GaN 基微电子器件 | 第22-23页 |
| ·本文主要研究工作 | 第23-24页 |
| 第二章 实验设备及测试技术 | 第24-31页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·分子束外延（MBE）概述 | 第24-27页 |
| ·MBE 的发展 | 第24-25页 |
| ·MBE 外延生长的原理 | 第25页 |
| ·MBE 生长系统 | 第25-27页 |
| ·MBE 外延生长的过程 | 第27页 |
| ·材料表征技术 | 第27-31页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
| ·拉曼散射光谱仪(Raman) | 第28-29页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第29页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第29页 |
| ·傅里叶红外光谱仪(FTIR) | 第29-31页 |
| 第三章 衬底材料的预处理 | 第31-43页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·蓝宝石衬底的腐蚀处理 | 第31-40页 |
| ·蓝宝石的性质 | 第31-32页 |
| ·蓝宝石衬底预处理腐蚀剂的选择 | 第32-33页 |
| ·蓝宝石腐蚀温度及腐蚀时间的确定 | 第33页 |
| ·蓝宝石衬底的预处理腐蚀工艺研究 | 第33-40页 |
| ·衬底材料的缓冲层处理 | 第40-41页 |
| ·蓝宝石衬底上ZnO 缓冲层的处理 | 第40页 |
| ·Si 衬底上ZnO 缓冲层的处理 | 第40-41页 |
| ·蓝宝石上AlN 缓冲层的生长 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 GaN 材料的外延生长及性能研究 | 第43-64页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·低温GaN 薄膜的生长 | 第44-49页 |
| ·低温GaN 薄膜生长方案 | 第44页 |
| ·实验结果与分析 | 第44-49页 |
| ·富氮条件下GaN 材料的外延生长 | 第49-55页 |
| ·实验方案 | 第51页 |
| ·结果与分析 | 第51-55页 |
| ·富镓富氮匹配条件下GaN 材料的外延生长 | 第55-59页 |
| ·实验方案 | 第55-56页 |
| ·结果与分析 | 第56-59页 |
| ·缓冲层生长厚度对GaN 外延生长的影响 | 第59-63页 |
| ·富镓条件下GaN 材料的外延生长 | 第59-60页 |
| ·缓冲层对外延层性能的影响 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 GaN 材料二维电子气 AlGaN 的生长及性能研究 | 第64-71页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·GaN 材料二维电子气AlGaN 的生长 | 第64-70页 |
| ·实验方案 | 第64-65页 |
| ·结果与分析 | 第65-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |