| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 综述 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·GaN基薄膜的晶体结构和极性 | 第11-12页 |
| ·GaN、InN和AlN的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaN晶体的极性 | 第12页 |
| ·n-GaN欧姆接触形成机理 | 第12-15页 |
| ·n-GaN欧姆接触形成机理 | 第12-14页 |
| ·n-GaN欧姆接触的电子输运方式 | 第14-15页 |
| ·n-GaN欧姆接触影响因素及设计原则 | 第15-16页 |
| ·欧姆接触的表征 | 第16-19页 |
| ·定性比较 | 第16-17页 |
| ·定量测量 | 第17-19页 |
| ·n-GaN欧姆接触的国内外研究进展 | 第19-23页 |
| ·本论文研究的内容及行文安排 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-30页 |
| 第2章 表面处理对n-GaN欧姆接触的研究 | 第30-48页 |
| ·表面清洗对光滑面n-GaN欧姆接触的影响 | 第30-34页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·粗化的n-GaN表面处理对欧姆接触影响 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验 | 第35-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第3章 AlN缓冲层对N极性n型欧姆接触影响 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-56页 |
| ·样品的表面能谱分析 | 第50-51页 |
| ·Ti/Al欧姆接触研究 | 第51-53页 |
| ·Al/Ti/Au姆接触研究 | 第53-55页 |
| ·LED的工作电压随老化时间的变化 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第4章 n-GaN欧姆接触定量研究及LED电极稳定性 | 第60-71页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·Si衬底GaN基LED芯片结构 | 第60-61页 |
| ·Ga极性与N极性n-GaN上的欧姆接触定量研究 | 第61-65页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| ·几种金属电极的性能研究 | 第65-68页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·实验 | 第65-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第5章 硅衬底GaN基功率型蓝光LED老化性能研究 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·实验 | 第71-72页 |
| ·结果与分析 | 第72-77页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第72-73页 |
| ·老化过程中L-I曲线分析 | 第73-74页 |
| ·老化过程中的EQE-J曲线分析 | 第74-75页 |
| ·老化过程中的WLP、WLD、FWHM-I曲线分析 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第6章 结论 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第82页 |
